來源：愛集微APP
集微網(wǎng)消息，上周，已透過不同媒體渠道“預(yù)熱”多時(shí)的英特爾，終于正式宣布了其在歐洲地區(qū)迄今為止最大規(guī)模的投資計(jì)劃。
包括德國(guó)馬格德堡兩座全新的埃米級(jí)先進(jìn)制程晶圓廠，英特爾首期投資已達(dá)到330億歐元，未來十年的總投資計(jì)劃，更是高達(dá)800億歐元。
這一規(guī)模宏大的投資計(jì)劃背后，已經(jīng)不僅僅是常規(guī)商業(yè)邏輯，更標(biāo)志著全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈重構(gòu)進(jìn)入新的階段。
歐盟的算計(jì)
全面布局歐洲，對(duì)英特爾而言可謂“名利雙收”。
其中的“利”，最直接的當(dāng)然是歐盟各成員國(guó)對(duì)英特爾在當(dāng)?shù)赝顿Y的補(bǔ)貼、融資和其他支持，如其馬格德堡晶圓制造廠，據(jù)報(bào)道將獲得高達(dá)50億歐元的補(bǔ)貼，約占該項(xiàng)目總投資規(guī)模的30%，而規(guī)劃中的意大利芯片封裝測(cè)試工廠，更有望獲得40%的投資補(bǔ)貼。
此外，英特爾在德法意西等國(guó)從設(shè)計(jì)到制造、封測(cè)的完整業(yè)務(wù)布局，也將有助于其吸納歐洲地區(qū)人才，并為歐洲客戶提供本地化的配套服務(wù)能力，增強(qiáng)其在歐洲市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。
至于其收獲的“名”，無疑是歐盟方面的高規(guī)格支持，早在去年談判階段，英特爾CEO帕特基辛格就已經(jīng)成為法國(guó)總統(tǒng)、德國(guó)總理等歐洲政要的座上賓，這次的投資計(jì)劃官宣后，歐盟委員會(huì)主席烏蘇拉·馮德萊恩也第一時(shí)間表態(tài)，稱這項(xiàng)投資是“歐盟芯片法案下的第一項(xiàng)重大成就......這對(duì)我們目前正在建設(shè)的歐洲芯片生態(tài)系統(tǒng)做出了相當(dāng)大的貢獻(xiàn)”。
作為合作中的另一主角，歐盟的熱情其來有自。
不久前，歐盟剛剛頒布了其《芯片法案》，提出了到2030年將歐洲企業(yè)在全球半導(dǎo)體市場(chǎng)的份額提高一倍，達(dá)到20%。為實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)，歐盟委員會(huì)聲稱將在2030年前動(dòng)員約430億歐元的政府和私人資金注入該產(chǎn)業(yè)。
與其雄心相比，歐洲地區(qū)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀有相當(dāng)?shù)穆洳睿鶕?jù)波士頓咨詢的數(shù)據(jù)，歐盟半導(dǎo)體制造能力在全球占比已從1990年的44%下降至目前約10%，本土企業(yè)主要長(zhǎng)于工業(yè)用、汽車用半導(dǎo)體，在邏輯與存儲(chǔ)產(chǎn)品上競(jìng)爭(zhēng)力不足，工藝節(jié)點(diǎn)也依然徘徊在成熟制程；全球前十Fabless榜單，近年來也罕有歐洲企業(yè)入圍。
歐盟半導(dǎo)體企業(yè)長(zhǎng)于工業(yè)、汽車產(chǎn)品
要趕上這樣的差距，除了扶持恩智浦、博世、意法、英飛凌等本土企業(yè)加速發(fā)展，引入外部?jī)?yōu)勢(shì)廠商在歐洲投資建廠，也是一條可快速見效的路子。
事實(shí)上，“筑巢引鳳”也是不少國(guó)家的通行做法，我國(guó)芯片自給率的核算中，外商投資企業(yè)在華產(chǎn)能，也同樣被納入統(tǒng)計(jì)口徑，半導(dǎo)體巨頭在華投資項(xiàng)目，除了技術(shù)水平較高，對(duì)半導(dǎo)體上下游產(chǎn)業(yè)帶動(dòng)作用強(qiáng)，對(duì)其所在地區(qū)的就業(yè)、投資、消費(fèi)，也有相當(dāng)明顯的輻射作用。例如三星在西安地區(qū)的半導(dǎo)體工廠一期項(xiàng)目，目前年產(chǎn)值已超過500億元，占到西安地區(qū)GDP約二十分之一的驚人比例，二期項(xiàng)目建成達(dá)產(chǎn)后，更有望一舉成為全球十分之一閃存產(chǎn)能的生產(chǎn)基地。
英特爾此番大手筆投資，對(duì)歐盟而言，也有望收到立竿見影的效果。
不過歐盟對(duì)英特爾的巨額補(bǔ)貼，很可能附著有特殊義務(wù)。集微網(wǎng)完整閱讀歐盟《芯片法案》文本發(fā)現(xiàn)，一方面，其中對(duì)英特爾這樣的先進(jìn)制程或創(chuàng)新技術(shù)“填補(bǔ)空白”型（first-of-a-kind）投資，給予了慷慨的財(cái)政支持與投資審批便利，另一方面，也規(guī)定了這類獲得政府補(bǔ)貼的投資（在草案中分為開放代工廠Open EU Foundries和整合制造廠Integrated Production Facilities兩類），需要為歐盟區(qū)域內(nèi)的半導(dǎo)體新技術(shù)研發(fā)提供便利，在面臨半導(dǎo)體供應(yīng)緊張的情況下，歐盟甚至有權(quán)對(duì)相關(guān)設(shè)施進(jìn)行訂單排產(chǎn)優(yōu)先級(jí)的干預(yù)乃至出口管制，顯然意在確保歐盟對(duì)區(qū)域內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的實(shí)際調(diào)控能力。
供應(yīng)短缺情況下的應(yīng)急措施
這樣的背景下，英特爾與歐盟的“雙向選擇”就頗耐人尋味，在三家掌握先進(jìn)制程技術(shù)的廠商中，臺(tái)積電據(jù)路透社去年報(bào)道，與歐盟方面洽談曾“不歡而散”，三星目前也未傳出赴歐布局消息，英特爾的泛歐布局和歐盟給予英特爾的慷慨支持，隱隱勾勒出歐盟半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)規(guī)劃中，“跨大西洋伙伴”之間的更多互信，東亞半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，被有意無意排在了合作的候補(bǔ)位置。
歐盟的啟示
目前看，盡管英特爾投資計(jì)劃打響了頭炮，但由于涉及到機(jī)構(gòu)編制的調(diào)整（新設(shè)歐洲半導(dǎo)體委員會(huì)）和公共預(yù)算調(diào)整，歐盟《芯片法案》要全面落地，還有相當(dāng)長(zhǎng)的一段路要走，但無論如何，歐盟對(duì)半導(dǎo)體先進(jìn)制程技術(shù)的追求中，在美國(guó)與東亞伙伴之間的這次“選邊”，依然是一個(gè)具有里程碑意義的事件，標(biāo)志著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)全球化向區(qū)域化的回潮，進(jìn)入到一個(gè)新的階段，歐美發(fā)達(dá)國(guó)家在東亞產(chǎn)業(yè)集群外打造替代網(wǎng)絡(luò)的努力，使兩套“楚河漢界”產(chǎn)業(yè)鏈的前景依稀浮現(xiàn)。
不過另一方面，在《芯片法案》及與英特爾的合作中，歐盟的做法也為我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)提供了一些啟示。
首先，歐盟對(duì)外商投資在支持本土先進(jìn)技術(shù)研發(fā)，以及緊急情況下的“保供”義務(wù)，做了明確要求，盡管這樣的要求可能“嚇跑”一些廠商，但坐擁全球最大芯片消費(fèi)市場(chǎng)的中國(guó)，也必然會(huì)對(duì)更多廠商產(chǎn)生強(qiáng)大的吸引力，大力度的扶持政策與對(duì)企業(yè)合理適當(dāng)?shù)牧x務(wù)規(guī)范相結(jié)合，更有助于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈補(bǔ)鏈強(qiáng)鏈的努力。
歐盟高性能通用處理器研發(fā)路線圖
另外，歐盟在《芯片法案》中，還明確列出了其半導(dǎo)體先進(jìn)制程的發(fā)展規(guī)劃，包括將建設(shè)10納米及以下工藝節(jié)點(diǎn)FDSOI試驗(yàn)線、2納米以下工藝節(jié)點(diǎn)FinFET/GAA試驗(yàn)線、3D異構(gòu)先進(jìn)封裝試驗(yàn)線，并通過開放這樣的試驗(yàn)線，帶動(dòng)從材料、設(shè)備到設(shè)計(jì)、制造工藝、封裝測(cè)試的上下游產(chǎn)業(yè)環(huán)節(jié)發(fā)展。
采用6納米工藝、RISC-V架構(gòu)、異構(gòu)封裝的歐盟通用處理器樣片
其中，采用FDSOI（全耗盡絕緣體上硅）工藝的半導(dǎo)體器件，由于源和體之間勢(shì)壘較小，浮體效應(yīng)影響低，其源漏極之間很薄的結(jié)深，也有助于抑制短溝道效應(yīng)，使之具備在昂貴復(fù)雜的3D結(jié)構(gòu)FinFET/GAA工藝之外，推進(jìn)經(jīng)典幾何結(jié)構(gòu)晶體管向更小特征尺寸微縮的潛力，加上低電源電壓、低漏電流、強(qiáng)抗輻射、較高的器件工作速度等特性，使之十分適合于超低功耗芯片制造。
對(duì)于在FinFET技術(shù)發(fā)展上明顯受到外部遏制的我國(guó)而言，F(xiàn)DSOI同樣是一條可能“換道追趕”的技術(shù)路徑。
事實(shí)上，根據(jù)集微網(wǎng)了解，02專項(xiàng)總師葉甜春院士的帶領(lǐng)下，國(guó)內(nèi)也已經(jīng)形成廣東大灣區(qū)集成電路與系統(tǒng)應(yīng)用研究院為代表的FDSOI先進(jìn)工藝研發(fā)力量，他曾熱情展望稱，“現(xiàn)在FinFET往下走已經(jīng)遇到大量的技術(shù)壁壘，F(xiàn)DSOI開始顯現(xiàn)出優(yōu)點(diǎn)，除了它的性能優(yōu)勢(shì)之外，在制造上，它的要求低于FinFET，對(duì)于中國(guó)已有的產(chǎn)業(yè)鏈裝備材料也非常適合。再加上未來中國(guó)蓬勃發(fā)展的市場(chǎng)，未來我們能不能打造一個(gè)新的生態(tài)來做這件事情。”
自2019年注冊(cè)成立以來，該院已經(jīng)在面向1X納米FDSOI關(guān)鍵技術(shù)、光電異質(zhì)集成、計(jì)算光刻等先導(dǎo)性技術(shù)研發(fā)上取得一系列成果，隨著先導(dǎo)成果的積累，在上周剛剛公布的《廣州市半導(dǎo)體與集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展行動(dòng)計(jì)劃（2022-2024年）》中，已經(jīng)出現(xiàn)了FDSOI產(chǎn)業(yè)化的具體部署：“建設(shè)先進(jìn)SOI（絕緣體上硅）工藝生產(chǎn)線，力爭(zhēng)引進(jìn)張江國(guó)家實(shí)驗(yàn)室，重點(diǎn)開展12英寸先進(jìn)SOI工藝研發(fā)，推動(dòng)與現(xiàn)有制造產(chǎn)線整合，建設(shè)FD-SOI（全耗盡絕緣體上硅）工藝研發(fā)線、RF-SOI（射頻絕緣體上硅）工藝生產(chǎn)線。”
總體而言，隨著近期《芯片法案》、英特爾投資等一系列“大動(dòng)作”，歐盟也已正式加入全球主要國(guó)家半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)政策的“競(jìng)賽”之中，在這樣大國(guó)爭(zhēng)競(jìng)的戰(zhàn)國(guó)時(shí)代，中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)所面臨的挑戰(zhàn)無疑將進(jìn)一步加大，需要更多的產(chǎn)業(yè)人，如同葉甜春院士在FDSOI領(lǐng)域的耕耘，在激烈的競(jìng)爭(zhēng)中闖出一條新路。
