來源:愛集微APP
集微網(wǎng)消息，2021年金泰克率先在國內(nèi)現(xiàn)貨發(fā)售DDR5內(nèi)存，此次金泰克向AVL實驗室提供的KT8GU5MA4-M和KTFGU5MA4-M樣品，都通過了各項嚴(yán)苛測試，得到了Intel AVL實驗室認(rèn)證。
UDIMM(小型雙列直插式內(nèi)存模塊)應(yīng)用在標(biāo)準(zhǔn)臺式機等應(yīng)用場合。隨著內(nèi)存模組性能的不斷提升，科技發(fā)燒友不僅對內(nèi)存的性能要求增高，對科技感需求也不斷提升，因此需要設(shè)計一款符合JEDCEDDR5標(biāo)準(zhǔn)且科技感強的DDR5 UDIMM內(nèi)存模組。
為此，金泰克于2021年2月3日申請了一項名為“DDR5 1RANK RGB UDIMM內(nèi)存模組”的發(fā)明專利（申請?zhí)? 202120322359.6），申請人為深圳市金泰克半導(dǎo)體有限公司。
圖1 DDR5 1RANK RGB UDIMM內(nèi)存模組結(jié)構(gòu)示意圖
圖1為本發(fā)明提出的一種DDR5 1RANK RGB UDIMM內(nèi)存模組結(jié)構(gòu)示意圖，其中DDR5顆粒組110包括分布于內(nèi)存多個DDR5顆粒，能夠存儲輸入DDR5顆粒的數(shù)據(jù)，單個DDR5顆粒對外引出的引腳包括：時鐘信號線CLK、命令地址信號線CMD/ADDR、控制信號線CTL，以及數(shù)據(jù)信號線DQ/DQS，DDR5顆粒組中多個DDR5顆粒對應(yīng)的時鐘、命令地址以及控制信號線與內(nèi)存金手指根據(jù)Fly-By拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)連接，每顆DDR5顆粒的數(shù)據(jù)信號線DQ/DQS與內(nèi)存金手指點對點連接。源于存儲器控制器的這些信號以串行的方式連接到DDR5顆粒組中每個DDR5顆粒，因此本申請實施例包括1個RANK，采用單通道尋址方式，通過減少分支的數(shù)量和分支的長度改進(jìn)了信號完整性。
ODT終端匹配電路120一端引出的多個引腳分別與DDR5顆粒組對外對應(yīng)的命令地址信號線CMD/ADDR、控制信號線CTL連接，另一端引出的一個引腳與內(nèi)存金手指中VTT引腳連接，可以將命令地址信號線CMD/ADDR及控制信號線CTL上的信號上拉到VTT電壓，以終結(jié)數(shù)據(jù)信號線DQ/DQS上的信號。串接匹配電路130一端引出的若干引腳分別與DDR5顆粒組對應(yīng)的數(shù)據(jù)信號線DQ/DQS連接，另一端引出的若干引腳分別與內(nèi)存金手指連接，調(diào)整數(shù)據(jù)信號線DQ/DQS上的電壓。
EEPROM芯片140存儲DDR5顆粒組的SPD信息，包括顆粒的廠家、頻率、時延、容量。PMIC電源電路150分別與DDR5顆粒組及EEPROM芯片連接并為其供電。RGB燈組160包括多個RGB LED燈進(jìn)行發(fā)光。RGB MCU170與RGB燈組連接并對其進(jìn)行驅(qū)動。RGB電源電路180分別與PMIC電源電路、RGB燈組、RGB MCU連接，變換PMIC電源電路的輸出電壓后為RGB燈組和RGB MCU供電。
圖2 并聯(lián)電容電路圖
圖2為并聯(lián)電容電路圖，每顆DDR5顆粒的VDD電源線還與第一并聯(lián)電容電路以及第二并聯(lián)電容電路連接，外接4顆電容，實際電容的顆數(shù)和容量根據(jù)DDR5顆粒與內(nèi)存條實際情況設(shè)置。PMIC電源電路的外出引腳VDD通過第三并聯(lián)電容電路與內(nèi)存金手指中VTT引腳連接。三電路都能夠濾波。
簡而言之，金泰克的DDR5專利，通過采用單通道地址命令尋址方式，能夠提供更高的性能，更大的帶寬，更快的數(shù)據(jù)傳輸和更低的功耗，同時增加了內(nèi)存模組的科技感。
金泰克專注數(shù)據(jù)存儲，是一家集研發(fā)、生產(chǎn)和自主品牌產(chǎn)品營銷于一體的快存儲專業(yè)解決方案提供商。未來，金泰克將持續(xù)以“加速人類思考，為世界留下美好記憶”為使命，致力成為生態(tài)圈中值得信賴的數(shù)據(jù)存儲合作伙伴。
關(guān)于嘉勤
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