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市調機構Yole Dédevelopement近日發布《內存行業年度狀況報告》顯示，2022年，DRAM、NAND閃存市場將分別增長25%、24%到1180億美元、830億美元，均創歷史新高。2021-2027年，獨立內存市場預計將以8%的CAGR增長至2600多億美元。然而，季節性因素仍將存在。
據Evertiq報道，Yole存儲器高級市場與技術分析師Simone Bertolazzi博士表示，“在貿易摩擦和新冠疫情爆發的情況下，獨立內存市場在過去兩年一直在擴張。2020年和2021的收入分別增長了15%和32%。如此顯著的增長是大多數細分市場的生產受限和需求強勁增長共同推動的。”
2022年是NAND閃存發明35周年。自1987年以來，NAND設備的位密度和位成本一直在不斷提高。為了維持這種規模，人們正在深入研究新的技術解決方案，包括CBA體系結構，如長江存儲的Xtacking方法。如今，所有的存儲器制造商都在使用混合鍵合設備進行研發。鎧俠和三星等主要供應商正在將晶圓對晶圓鍵合納入NAND路線圖。
DRAM業務上，Yole指出了當前的共識，即平面縮放——即使通過光刻EUV工藝，也不足以在整個未來十年提供所需的位密度改善。因此，主要設備供應商和領先的DRAM制造商正在考慮將單片3D DRAM（相當于3D NAND的DRAM）作為長期擴展的潛在解決方案。Yole的分析師認為，這種新型3D技術可能會在2029-2030年進入市場。
【來源：集微網】
