每隔幾個月就會有更新?lián)Q代的電子產(chǎn)品問世。它們通常更小、更智能，不僅擁有更快的運行速度與更多帶寬，還更加節(jié)能，這一切都要歸功于新一代先進的芯片和處理器。
跨入數(shù)字化時代，我們?nèi)缤嘈盘柮魈煲欢〞鹉菢樱_信新設(shè)備會不斷地推陳出新。而在幕后，則是工程師們積極研究半導(dǎo)體技術(shù)路線圖，以確保新設(shè)備所需的下一代芯片能夠就緒。
很長一段時間以來，芯片的進步都是通過縮小晶體管的尺寸來實現(xiàn)的，這樣就可以在一片晶圓上制造更多晶體管，從而使晶體管的數(shù)量在每12-24個月翻一番——這就是眾所周知的“摩爾定律”。多年來，為了跟上時代的步伐，整個行業(yè)進行了諸多重大的創(chuàng)新，包括銅/低k互連、新型晶體管材料、多重圖形化方案和三維(3D)架構(gòu)。
開發(fā)3D結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)變帶來了新的挑戰(zhàn)，隨著深寬比的增加，挑戰(zhàn)也在加劇。你可能已經(jīng)想到，3D架構(gòu)需要從器件設(shè)計上做根本性改變，需要新的材料、新的沉積和刻蝕方法來實現(xiàn)。在本文中，我們將帶大家一起回顧半導(dǎo)體行業(yè)在實現(xiàn)3D架構(gòu)過程中的重要里程碑。
準(zhǔn)備階段：平面工藝
創(chuàng)建集成電路最初是一個二維的問題：取一塊平坦的硅片，在表面放置各種結(jié)構(gòu)，用導(dǎo)線將它們連接起來。這是通過沉積一層層的材料，利用光刻技術(shù)對其進行圖形化處理，并在暴露的區(qū)域刻蝕出必要的特征來完成的。這曾是電子工業(yè)的一個巨大突破。
隨著技術(shù)需求的不斷發(fā)展，需要在更緊湊的空間中構(gòu)建更多的電路，以支持更小的結(jié)構(gòu)。過去相對直接的過程變得越來越復(fù)雜。
隨著創(chuàng)建2D結(jié)構(gòu)的成本不斷增加，以及在二維平面上進行微縮的可行方法逐漸枯竭，3D結(jié)構(gòu)變得越來越有吸引力。半導(dǎo)體行業(yè)早在十多年前就開始開發(fā)早期的選擇性刻蝕應(yīng)用以支持3D技術(shù)，并不斷擴展，從封裝到非易失性存儲器甚至晶體管本身。
晶體管走向3D
許多電子系統(tǒng)的主力都是晶體管。在過去，晶體管一直是扁平結(jié)構(gòu)，其特性由晶體管通道的寬度和長度決定。晶體管性能由放置在通道上的柵極控制，不過這只能提供有限的控制，因為通道的另一邊和底部不受控制。
從平面轉(zhuǎn)向3D的第一步是為通道設(shè)計一個鰭，它可以由三面的柵極控制。不過，為了實現(xiàn)最優(yōu)控制，需要接觸到晶體管的所有四面，因而推動了全包圍柵極(GAA)晶體管的發(fā)展。在GAA結(jié)構(gòu)中，多根導(dǎo)線或多個薄片相互堆棧在一起，柵極材料完全包圍著通道。
閃存提升
向3D的轉(zhuǎn)變早在10年前就被應(yīng)用于NAND閃存，當(dāng)時內(nèi)存位的水平字符串是向上堆棧的。
垂直結(jié)構(gòu)由交替的薄層材料和盡可能多的工藝層堆棧而成。在構(gòu)建這樣的結(jié)構(gòu)時，至少在兩方面需要特別小心：第一，每一層都必須厚度均勻，并且非常平整，使每層中的位都與其他位具有相同的尺寸；第二，各層必須相互連接——這需要先建構(gòu)一層堆棧并通過刻蝕在堆棧中進行鉆孔，然后用適當(dāng)?shù)倪B接材料來填充這些孔，從而完成這樣的結(jié)構(gòu)。這其中，無論是刻蝕還是沉積工藝都極具挑戰(zhàn)性，需要精確的執(zhí)行。
這些挑戰(zhàn)限制了堆棧的層數(shù)，因此需要采用新的方法來增加層數(shù)。
展望未來：3D DRAM
動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM) 的物理機制與3D NAND完全不同，所用的方法也做了徹底的改變。
DRAM需要高容量的電容器，這對于在2D陣列中進行精確構(gòu)建是一個挑戰(zhàn)。垂直堆棧的難度更大，還需要更多研發(fā)以找到經(jīng)濟的方法來將電介質(zhì)和活性硅堆棧在一起。光刻可能需要同時影響多層——目前還沒有可量產(chǎn)的工藝。
3D封裝越來越受歡迎
芯片經(jīng)過封裝后被放置在印制電路板(PCB)上。在過去，封裝只是為了保護脆弱的硅芯片，并將其連接到電路板上。如今，封裝通常包含多個芯片，隨著縮小芯片占用空間的需求提升，封裝也開始轉(zhuǎn)向3D。
3D封裝要求芯片被堆棧起來，這涉及到芯片之間的密集連接——這種連接可以提高信號速度，因為它們短得多，又可以同時傳輸更多信號。然而，在兩個以上芯片的堆棧中，其中一些信號還需要通過傳導(dǎo)通道連接到堆棧更高的芯片，這些通道被稱為“硅通孔”(TSVs)。
3D芯片堆棧重要的終端市場應(yīng)用一直在內(nèi)存領(lǐng)域——高帶寬內(nèi)存 (HBM) 是最為常見的。內(nèi)存芯片還可以被堆棧到CPU或其他邏輯芯片上，以加快從內(nèi)存中獲取數(shù)據(jù)的速度。
如今，3D是微縮的必要條件
在解決半導(dǎo)體制造中的所有微縮限制時，考慮3D已成為標(biāo)準(zhǔn)做法。雖然3D可能不是解決所有問題的選擇，但它在上述應(yīng)用中特別有用。
每一個新的應(yīng)用都伴隨著如何構(gòu)建的難題，這需要創(chuàng)新的思維和硅工藝領(lǐng)域的持續(xù)發(fā)展，半導(dǎo)體制造設(shè)備就是芯片行業(yè)不斷實現(xiàn)3D結(jié)構(gòu)的主要推動者。
