5 月 13 日消息，美光公司周四發(fā)布了業(yè)界首個(gè)具有 232 層的 3D NAND 閃存，該公司計(jì)劃將其新的 232 層 3D NAND 產(chǎn)品用于各種產(chǎn)品，包括固態(tài)硬盤，并計(jì)劃在 2022 年底左右開始量產(chǎn)此類芯片。
圖片來源：美光
IT之家了解到，美光的 232 層 3D NAND 閃存采用 3D TLC 架構(gòu)，原始容量為 1Tb（128GB）。該芯片基于美光的 CuA 架構(gòu)，并使用 NAND 字符串堆疊技術(shù)，在彼此的頂部建立兩個(gè) 3D NAND 陣列。
CuA 設(shè)計(jì)加上 232 層 NAND，將大大減少美光 1Tb 3D TLC NAND 閃存的芯片尺寸，這有望降低生產(chǎn)成本，使美光能夠?qū)Σ捎眠@些芯片的設(shè)備進(jìn)行更有競(jìng)爭(zhēng)力的定價(jià)，或者增加其利潤(rùn)率。
美光沒有宣布其新的 232L 3D TLC NAND IC 的 I / O 速度或平面數(shù)量，但暗示與現(xiàn)有的 3D NAND 設(shè)備相比，新的內(nèi)存將提供更高的性能，這對(duì)采用 PCIe 5.0 接口的下一代 SSD 特別有用。
談到固態(tài)硬盤，美光的技術(shù)和產(chǎn)品執(zhí)行副總裁 Scott DeBoer 指出，該公司已經(jīng)與內(nèi)部和第三方 NAND 控制器（用于固態(tài)硬盤和其他基于 NAND 的存儲(chǔ)設(shè)備）的開發(fā)者密切合作，以實(shí)現(xiàn)對(duì)新型內(nèi)存的支持。
圖片來源：美光
在其 232 層 3D TLC NAND 的其他優(yōu)勢(shì)中，美光還提到與上一代節(jié)點(diǎn)相比功耗更低。
考慮到美光將在 2022 年年底開始生產(chǎn) 232 層 3D TLC NAND 設(shè)備，預(yù)計(jì)采用新內(nèi)存的固態(tài)硬盤將在 2023 年左右到來。
【來源：IT之家】
