當地時間5月17日，據eeNews報道，美光科技公司表示，它將于今年晚些時候開始出貨其下一代 3D-NAND 內存組件，即 232 層設備。
美光負責技術和產品的執行副總裁Scott DeBoer披露了未來十年的3D-NAND路線圖，該路線圖將超過400層。
圖源：美光
在3D-NAND 生產中，美光已經在 96 層和 176 層閃存芯片上占據強勢地位。DeBoer 表示，該公司將在 2022 年晚些時候開始增加 232 層閃存的制造規模。這將使該公司在市場上具備明顯的領先優勢。
該公司展示了一款帶有三層單元的1Tbit 3D-NAND存儲器芯片，但DeBoer表示，美光的重點將包括保持每個單元4bit的領先地位。
該存儲器將包括CMOS下的陣列技術和雙堆棧機制。DeBoer還稱，與176層的版本相比，232層的版本將提供更高的密度、功率和帶寬，性能細節將在后期公布。
此外，基于更高容量3D-NAND器件的固態硬盤預計將在2023年推出。
【來源：集微網】
