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英特爾公司在封裝設(shè)計(jì)中開(kāi)發(fā)了一種嵌入式電感的全集成穩(wěn)壓器（Fully Integrated Voltage Regulators，F(xiàn)IVR），用于控制芯片在3D-TSV堆疊系統(tǒng)中的功率。
據(jù)eeNews報(bào)道，電壓控制器對(duì)于3D封裝至關(guān)重要，后者將基于工作負(fù)載的最優(yōu)流程節(jié)點(diǎn)實(shí)現(xiàn)的chiplet封裝在一起。這是一種靈活且經(jīng)濟(jì)高效的方法，可以創(chuàng)建多種配置，但需要更復(fù)雜的電源控制。
英特爾在俄勒岡州和亞利桑那州的團(tuán)隊(duì)使用0.9nH-1.4nH 3D-TSV基于封裝嵌入式電感器開(kāi)發(fā)了一種FIVR，其效率比低退出調(diào)節(jié)器（LDO）高37.6%，在10mA-1A負(fù)載范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)了平坦的效率，而無(wú)需相互通信。
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FIVR在基于22nm工藝的裸片上實(shí)現(xiàn)，采用三種TSV友好型電感結(jié)構(gòu)，具有多面積與效率的權(quán)衡選項(xiàng)。這些很容易并行地構(gòu)建模塊化設(shè)計(jì)，可以服務(wù)于廣泛而不同的chiplet。
該設(shè)計(jì)在最近的VLSI 2022研討會(huì)上進(jìn)行了討論。
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