6 月 30 日消息，據(jù) BusinessKorea 報(bào)道，三星電子副董事長(zhǎng)李在镕于 6 月中旬結(jié)束了對(duì)歐洲的商務(wù)訪問(wèn)，此行他與 ASML 公司就引進(jìn)該荷蘭半導(dǎo)體設(shè)備制造商的下一代極紫外（EUV）光刻設(shè)備進(jìn)行了會(huì)談。
報(bào)道稱，李在镕于 6 月 14 日（當(dāng)?shù)貢r(shí)間）在荷蘭 ASML 總部會(huì)見(jiàn)了 ASML 首席執(zhí)行官 Peter Wennink 和首席技術(shù)官 Martin van den Brink，并就引進(jìn)今年生產(chǎn)的 EUV 光刻設(shè)備和計(jì)劃于明年推出的高數(shù)值孔徑（High-NA）EUV 光刻設(shè)備達(dá)成了協(xié)議。
High-NA EUV 是下一代光刻設(shè)備，與現(xiàn)有的 EUV 光刻設(shè)備相比，可以雕刻出更精細(xì)的電路，其被認(rèn)為是一個(gè)改變游戲規(guī)則的設(shè)備，將決定 3 納米以下代工市場(chǎng)技術(shù)競(jìng)賽的贏家。
IT之家了解到，High-NA EUV 光刻設(shè)備的單價(jià)估計(jì)為 5000 億韓元（約 25.85 億元人民幣），是現(xiàn)有 EUV 光刻設(shè)備的兩倍。
今年早些時(shí)候，英特爾宣布已簽署合同購(gòu)買 5 臺(tái)這種設(shè)備，用于在 2025 年生產(chǎn) 1.8 納米芯片。臺(tái)積電也在 6 月 16 日的美國(guó)硅谷技術(shù)研討會(huì)上表示，它將在 2024 年在全球首次將 High-NA EUV 光刻設(shè)備引入其工藝。
在這場(chǎng)對(duì)下一代 EUV 光刻設(shè)備的爭(zhēng)奪中，三星電子也尋求獲得最新的 EUV 設(shè)備。李在镕的歐洲商務(wù)之旅主要是為了確保獲得下一代 High-NA EUV 光刻設(shè)備，以及目前正在生產(chǎn)的最新一代設(shè)備。ASML 今年只能生產(chǎn) 50 臺(tái) EUV 設(shè)備，交貨期為一年到一年零六個(gè)月。該公司有限的生產(chǎn)能力和較長(zhǎng)的交貨期，助長(zhǎng)了對(duì) High-NA EUV 光刻設(shè)備的預(yù)購(gòu)競(jìng)爭(zhēng)。
三星電子將 High-NA EUV 光刻設(shè)備實(shí)際應(yīng)用于其半導(dǎo)體工藝的具體時(shí)間還沒(méi)有確定。但考慮到交付周期，預(yù)計(jì)三星電子將在 2024 年開(kāi)始實(shí)際使用 High-NA EUV 光刻設(shè)備。
一些行業(yè)觀察人士呼吁韓國(guó)政府對(duì)半導(dǎo)體設(shè)施的投資給予更多支持。據(jù)報(bào)道，三星電子已經(jīng)獲得了今年計(jì)劃生產(chǎn)的 55 臺(tái) EUV 光刻設(shè)備中的 18 臺(tái)。這意味著，該公司僅在 EUV 光刻設(shè)備上的投資就將超過(guò) 4 萬(wàn)億韓元（約 206.8 億元人民幣）。
“如果三星采購(gòu) 10 臺(tái) High-NA EUV 光刻設(shè)備，將花費(fèi)公司超過(guò) 5 萬(wàn)億韓元（約 258.5 億元人民幣），”一位業(yè)內(nèi)人士說(shuō)，“有必要擴(kuò)大政府支持，以增強(qiáng)韓國(guó)的國(guó)家工業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力”。
【來(lái)源：IT之家】
