來源:超能網(wǎng)
英特爾在去年 7 月份的英特爾加速創(chuàng)新:制程工藝和封裝技術(shù)線上發(fā)布會 " 上,公布了最新的工藝路線圖,其中 Intel 4 制程節(jié)點(diǎn)(之前的 7nm SuperFin)會被包括 Ponte Vecchio、客戶端的 Meteor Lake 和數(shù)據(jù)中心的 Granite Rapids 在內(nèi)的多款產(chǎn)品所使用。英特爾在該制程節(jié)點(diǎn)將采用 EUV 光刻技術(shù),可使用超短波長的光,每瓦性能約 20% 的提升以及芯片面積的改進(jìn),可應(yīng)用下一代 Foveros 和 EMIB 封裝技術(shù)。
據(jù) DigiTimes 報(bào)道,有英特爾方面的消息人士稱,Intel 4 制程節(jié)點(diǎn)有望在 2022 年下半年量產(chǎn)。事實(shí)上,在大約一個月前的 IEEE VLSI 研討會中,英特爾對下一個制程節(jié)點(diǎn)的進(jìn)度表示樂觀,稱芯片在相同功耗下運(yùn)行速度能提高 20% 以上,或者相同頻率下功耗降低約 40%。據(jù)了解,相比現(xiàn)有的 Intel 7 制程節(jié)點(diǎn)(之前的 10nm Enhanced SuperFin),Intel 4 可提供翻倍的晶體管密度。
近年來,英特爾在工藝進(jìn)度上經(jīng)常不達(dá)預(yù)期,即便是現(xiàn)在已大量用于 Alder Lake 的 Intel 7,到了服務(wù)器使用的 Sapphire Rapids 依然遇到問題,導(dǎo)致相關(guān)產(chǎn)品出現(xiàn)延遲。按照英特爾的說法,需要在四年內(nèi)跨越五個制程節(jié)點(diǎn),2025 年要達(dá)到 Intel 18A,壓力非常大。
除了受益于 Intel 4 制程節(jié)點(diǎn),英特爾還將在面向消費(fèi)市場的 Meteor Lake 上首次采用了模塊化設(shè)計(jì),以便搭配不同制程節(jié)點(diǎn)的模塊進(jìn)行堆疊,再使用 EMIB 技術(shù)互聯(lián),通過 Foveros 封裝技術(shù)。據(jù)稱,Meteor Lake 還將采用臺積電(TSMC)N3 工藝制造的模塊。