在幾周前宣布開啟 3nm 環(huán)柵晶體管芯片生產(chǎn)后，這家韓國電子科技巨頭又將于下周展示首款 GAA 芯片。與當前 5nm 工藝相比，3nm GAA 可在收縮尺寸的同時，帶來更低的功耗和更高的性能，未來的 Galaxy S 等旗艦設(shè)備有望獲益于此。同時競爭對手臺積電也于本月開啟了 3nm FinFET 生產(chǎn)，但 GAA 芯片要到 2025 年推出。
目前尚不清楚三星 3nm GAA 會從臺積電那邊挖來多少客戶，但從紙面參數(shù)來看，其較 5nm 工藝的升級迭代還是相當亮眼的。
對于移動設(shè)備來說，環(huán)柵晶體管將帶來能效的顯著提升和尺寸縮進，從而延長電池的續(xù)航。
此外 GAA 的設(shè)計靈活性，意味其非常有利于設(shè)計技術(shù)協(xié)同優(yōu)化（DTCO），以及提升功耗、性能和面積（PPA）優(yōu)勢。
具體說來是，初代 3nm 工藝比 5nm 節(jié)能高達 45%，提升 23% 性能、并減少 16% 的芯片面積。
而二代 3nm 工藝有望降低 50% 功耗，性能提升 30%、并縮減 35% 的芯片面積。
三星仍在努力提升其 3nm 芯片的產(chǎn)能以實現(xiàn)盈利
即便如此，三星仍面臨著臺積電的直接挑戰(zhàn)。當前蘋果 iPhone、iPad、Mac 設(shè)備上使用的所有 A / M 系列芯片，都是交給 TSMC 代工的。
更尷尬的是，即使 2022 下半年被諸多 Android 旗艦智能機提供支撐的高通驍龍 8 Gen 1 升級款（Snapdragon 8+ Gen 1），也從三星換成了臺積電代工。
據(jù)悉，三星原本計劃在 Galaxy S22 上采用自研旗艦芯片，但可惜遇到了過熱的問題，最終只能節(jié)流以緩和性能體驗。
至于未來是否還有基于 3nm GAA 環(huán)柵晶體管技術(shù)的新規(guī)劃，目前暫不得而知。
最后，來自韓國的一份報告稱，三星已安排于 7 月 25 日舉辦首款 3nm 芯片的發(fā)布儀式。
然而首個買家卻是一家加密貨幣挖礦企業(yè)，這類客戶顯然難以幫助三星從臺積電那里搶來更多業(yè)務。
【來源：環(huán)球網(wǎng)】
