9 月 28 日消息，ASML 首席技術(shù)官 Martin van den Brink 日前接受 Bits & Chips 的采訪時表示，目前公司正有序推行其路線圖，在 EUV 之后是 High-NA EUV 技術(shù)。ASML 正在準(zhǔn)備向客戶交付首臺 High-NA EUV 光刻機(jī)，大概會在明年某個時間點(diǎn)完成，Martin 相信這個目標(biāo)會實(shí)現(xiàn)，盡管供應(yīng)鏈問題仍然可能會擾亂這一計劃。
IT之家了解到，NA (NumericalAperture) 被稱作數(shù)值孔徑，是光學(xué)鏡頭的一個重要指標(biāo)，一般光刻機(jī)設(shè)備都會明確標(biāo)注該指標(biāo)的數(shù)值。在光源波長不變的情況下，NA 的大小直接決定和光刻機(jī)的實(shí)際分辨率，也等于決定了光刻機(jī)能夠達(dá)到的最高的工藝節(jié)點(diǎn)。High-NA EUV 是下一代光刻設(shè)備，與現(xiàn)有的 EUV 光刻設(shè)備相比，可以雕刻出更精細(xì)的電路，其被認(rèn)為是一個改變游戲規(guī)則的設(shè)備，將決定 3 納米以下代工市場技術(shù)競賽的贏家。
Van den Brink 說，到目前為止，開發(fā)高 High-NA 技術(shù)的最大挑戰(zhàn)是為 EUV 光學(xué)器件構(gòu)建計量工具。High-NA 鏡的尺寸是其前身的兩倍，需要在 20 皮米范圍內(nèi)保持平整。這需要在一個大到“可以容納半個公司”的真空容器中進(jìn)行驗(yàn)證，該容器位于蔡司公司。
High-NA EUV 光刻機(jī)會比現(xiàn)有的 EUV 光刻機(jī)更為耗電，從 1.5 兆瓦增加到 2 兆瓦。主要原因是因?yàn)楣庠?，High-NA 使用了相同的光源需要額外 0.5 兆瓦，ASML 還使用水冷銅線為其供電。
至于 High-NA EUV 技術(shù)之后的技術(shù)方案，Martin 表示，ASML 正在研究降低波長，但他個人不認(rèn)為 Hyper-NA 是可行的，他們正在對其進(jìn)行研究，但這并不意味著它將投入生產(chǎn)。Martin 懷疑 High-NA 將是最后一個 NA，當(dāng)前半導(dǎo)體光刻技術(shù)之路或已走到盡頭。
High-NA EUV 系統(tǒng)將提供 0.55 數(shù)值孔徑，與此前配備 0.33 數(shù)值孔徑透鏡的 EUV 系統(tǒng)相比，精度會有所提高，可以實(shí)現(xiàn)更高分辨率的圖案化，以實(shí)現(xiàn)更小的晶體管特征。到了 Hyper-NA 系統(tǒng)，會高于 0.7，甚至達(dá)到 0.75，理論上是可以做到的。從技術(shù)方面來講，也可以做到。但如果 hyper-NA 的成本像 High-NA 那樣快速增長，那么它在經(jīng)濟(jì)上將幾乎是不可行的。因此，Hyper-NA 研究項(xiàng)目的主要目標(biāo)是提出聰明的解決方案，使該技術(shù)在成本和可制造性方面保持可控。
【來源：IT之家】
