日經中文網8日報道，日本大阪大學、三重大學、美國康奈爾大學的研究團隊開發出用于“6G”的半導體成膜技術。
據悉，研究團隊開發出用氮化鋁代替氮化鋁鎵的高電子遷移率晶體管（HEMT）制造技術。原來在成膜過程中氮化鋁表面發生氧化，由此產生的氧雜質改變氮化鋁的結晶，難以獲得高導電性。通過形成非常薄的鋁膜，還原表面的氧化膜，并使其揮發。由此，將導電性提高到原來的3—4倍。
其特點是不需要使用價格高的氮化鋁基板，可以在直徑約5厘米的較大藍寶石基板上實現這一構造。由于這次是利用研究用的方法成膜，研究小組計劃換成更實用的方法，在1年內試制出高電子遷移率晶體管。
【來源：集微網】
