【TechWeb】8月26日消息，據國外媒體報道，臺積電2020年度全球技術論壇和開放創新平臺生態系統論壇24日開始在線舉行，臺積電在論壇上披露了多項芯片制程工藝方面的信息，5nm、4nm和3nm工藝均有提及。
臺積電在官網披露的全球技術論壇重點信息顯示，業界領先的5nm工藝在今年已大規模投產，隨著產能持續提升，芯片缺陷密度的降低速度也要快于上一代工藝。
官網的信息顯示，臺積電的5nm工藝，可使芯片的性能提升15%，能耗降低30%，晶體管的密度提升80%。臺積電也在加速推進第二代5nm工藝在2021年量產，同第一代的5nm工藝相比，第二代5nm工藝可使芯片的速度提升5%，能效提升10%。
臺積電在官網披露，他們還將推出4nm工藝，芯片的性能、能效和晶體管密度會有進一步的提升，滿足更多產品的需求。4nm工藝將在2021年四季度開始風險試產，2022年大規模量產。
5nm之后下一個完整的工藝節點是3nm，臺積電也在研發。同第一代的5nm工藝相比，3nm工藝將使芯片的性能提升15%，能耗降低30%，晶體管的密度提升70%。
