今日（8月30日），三星電子宣布，其位于韓國平澤市的第二代產線，已經開始大規模量產業內首批16Gb(2GB)容量的LPDD5內存芯片，并導入EUV極紫外光刻工藝。
芯片基于三星第三代10nm級（1z）工藝打造，16Gb也達成了業內最高容量和最佳性能。
據悉，該LPDDR5內存芯片的帶寬速度為6400Mbps（等價6400MHz），比現款12Gb LPDDR5-5500快了16%。在16GB的總容量下，允許一秒內傳輸10部5GB高清電影（51.2GB）。
三星還表示，得益于先進的1z nm EUV工藝，單芯片比上代薄了30%。從封裝上講，10片就能湊成16GB容量，上一代1ynm則需要12片（單芯片12Gb）。如此以來節省的空間可以為5G手機創造更大的可能，比如更強的AP處理器、更大的電池、更充沛的天線布局等。
按照三星的預估，第一批搭載自家1z nm 16GB LPDDR5封裝內存的旗艦機將在2021年批量上市，恐怕明年初的Galaxy S21/30上就能見到了。
