當(dāng)前，最先進(jìn)的芯片已經(jīng)采用了5nm工藝（蘋果A14），這在另一方面也意味著，晶圓代工廠商們需要更加馬不停蹄地推進(jìn)制程技術(shù)的迭代。
來自Digitimes的最新報道稱，臺積電2nm GAA工藝研發(fā)進(jìn)度提前，目前已經(jīng)結(jié)束了路徑探索階段。
GAA即環(huán)繞柵極晶體管，旨在取代走到盡頭的FinFET（鰭式場效應(yīng)晶體管）。FinFET由華人科學(xué)家胡正明團(tuán)隊研制，首發(fā)于45nm，目前已經(jīng)推進(jìn)到5nm。
不過，據(jù)說臺積電的3nm依然延續(xù)FinFET，但三星則會提前于3nm導(dǎo)入GAA技術(shù)。
基于全新的GAA晶體管結(jié)構(gòu)，三星通過使用納米片設(shè)備制造出了MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET，多橋-通道場效應(yīng)管），與現(xiàn)在的7nm工藝相比，3nm工藝可將核心面積減少45%，功耗降低50%，性能提升35%。
當(dāng)然，落后其實并不可怕，最主要看進(jìn)度。三星7nm也是想“一口吃個胖子”，直接導(dǎo)入EUV極紫外光刻，結(jié)果起個大早趕個晚集，被臺積電用7nm DUV搶先，自己實際并未攬獲多少有價值的訂單。
