出處：快科技 作者：萬南
當前，最先進的芯片已經采用了 5nm 工藝（蘋果 A14），這在另一方面也意味著，晶圓代工廠商們需要更加馬不停蹄地推進制程技術的迭代。
來自 Digitimes 的最新報道稱，臺積電 2nm GAA 工藝研發進度提前，目前已經結束了路徑探索階段。
GAA 即環繞柵極晶體管，旨在取代走到盡頭的 FinFET（鰭式場效應晶體管）。FinFET 由華人科學家胡正明團隊研制，首發于 45nm，目前已經推進到 5nm。
不過，據說臺積電的 3nm 依然延續 FinFET，但三星則會提前于 3nm 導入 GAA 技術。
基于全新的 GAA 晶體管結構，三星通過使用納米片設備制造出了 MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET，多橋 - 通道場效應管），與現在的 7nm 工藝相比，3nm 工藝可將核心面積減少 45%，功耗降低 50%，性能提升 35%。
當然，落后其實并不可怕，最主要看進度。三星 7nm 也是想 " 一口吃個胖子 "，直接導入 EUV 極紫外光刻，結果起個大早趕個晚集，被臺積電用 7nm DUV 搶先，自己實際并未攬獲多少有價值的訂單。
