來源：驅動之家
從本月開始，PCIe 5.0 SSD 固態盤將會陸續上市，對于用戶而言，完全可以在等等看，因為廠商日子難過，會帶來更多新技術和新優惠。
現在，三星宣布開始大規模生產 236 層 3D NAND 閃存芯片，并將其命名為第 8 代 V-NAND，方案能帶來 2400MTps 的傳輸速度（對應的 SSD 傳輸速度輕松超過 12GBps）。
得益于存儲容量更大。V-NAND V8 閃存的厚度依然可以控制在合理水平，封裝 512GB 容量也不超過 0.8mm，可以用于新一代智能手機。
按照三星的表述，與現有相同容量的閃存芯片相比，新一代 3D NAND 可提高提高 20% 的單晶生產率，從而進一步降低了成本，這可能意味著大家有望買到同容量更便宜的固態硬盤。
在未來，三星的 V-NAND 閃存堆棧層數還會進一步提升，路線圖中的目標是超過 500 層，這被視為 3D 閃存的極限，不過三星還在想法突破，最終能制造 1000 層堆棧的 3D 閃存。
所以現在 2TB 799 便宜只是開始。
