11月7日電，三星宣布已開始量產三星產品中具有最高存儲密度的1Tb（太字節）三比特單元（TLC）第8代V-NAND?；谧钚翹AND閃存標準Toggle DDR 5.0接口的三星第8代V-NAND，其輸入和輸出（I/O）速度高達2.4 Gbps（千兆比特每秒），相比上一代提升了1.2倍，這可以滿足PCIe 4.0和更高版本PCIe 5.0的性能要求。
來源：財聯社
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