TechWeb 文 / 新喀鴉
近日，英特爾公布了2022年第三季度財報。在財報中，英特爾正式披露了其制程工藝的最新進展。
Intel 4：正在推進量產(chǎn)；預(yù)計在第四季度隨Meteor Lake處理器的生產(chǎn)過程流片
Intel 3：仍在按計劃推進； Intel 3和Intel 4是首批采用EUV極紫外光刻技術(shù)的制程節(jié)點，在晶體管的每瓦性能和計算密度方面將實現(xiàn)重大提升
Intel 20A和18A：第一批內(nèi)部測試芯片已流片；正在為一家主要的潛在代工客戶在晶圓廠中進行內(nèi)部測試芯片的生產(chǎn)
對于熟悉半導(dǎo)體行業(yè)的朋友可能都知道，Intel 20A工藝大致處于業(yè)界2nm的水平。而其它兩家業(yè)界先進的芯片制造廠商三星和臺積電目前的焦點還放在3nm工藝，2nm工藝還沒有明顯的進展。例如三星只是公布了2nm的一些技術(shù)方案，臺積電的3nm工藝甚至有延期、推遲的消息。此時英特爾公布了Intel 20A第一批內(nèi)部測試芯片已流片的消息無疑會對其它兩家造成一定的影響，那么英特爾能靠“Intel 20A”工藝重回芯片制造的霸主地位嗎？
Intel 20A工藝
雖然Intel 20A工藝大致處于業(yè)界2nm的水平，但目前業(yè)界即使是同一個技術(shù)節(jié)點（例如都是2nm工藝），不同廠商之間的差距還是很大的。而且英特爾的工藝特點與其它兩家又有較大的差距，因此將“Intel 20A”直接理解成2nm工藝還是很不準確的。
目前其它兩家的2nm工藝還沒有明顯的進展，不過還是可以結(jié)合工藝路線圖等資料進行粗略推算。
在晶體管密度方面：
三星2GAE（2nm） < Intel 20A < 臺積電N2（2nm）< Intel 18A
性能方面：
三星2GAE（2nm） < 臺積電N2（2nm）< Intel 20A < Intel 18A
PPA方面：
三星2GAE（2nm） < 臺積電N2（2nm）< Intel 20A < Intel 18A
注：PPA 是Performance（性能）、Power（功耗）、Area（尺寸）三者的縮寫，是對芯片制造工藝綜合表現(xiàn)的一種評價。
Intel 20A是不是“王炸”要看發(fā)布時間
“Intel 20A”工藝已經(jīng)開始了內(nèi)部測試流片，但距離全面量產(chǎn)還是有距離的。所以Intel 20A能否成為“王炸”，一方面要看Intel 20A的量產(chǎn)時間，另一方面要看臺積電和三星2nm工藝的量產(chǎn)時間。
不過目前看來英特爾的進度還是比較順利的，所以我們假定Intel 20A如期發(fā)布，并基于此假定進行分析。
根據(jù)目前的消息，Intel 20A工藝預(yù)計2024年量產(chǎn)，而臺積電和三星的2nm工藝量產(chǎn)預(yù)計在2025年。所以在2024年，Intel 20A的主要競爭對手是三星3GAP和臺積電N3E或者N3P。如果是這樣的局勢，Intel 20A工藝相較于其它兩家3nm工藝幾乎是完勝的。
在晶體管密度方面：
三星3GAP（3nm） < 臺積電N3E（3nm） = 臺積電N3P（3nm） < Intel 20A
性能方面：
三星3GAP（3nm） < 臺積電N3E（3nm） < 臺積電N3P（3nm） < Intel 20A
PPA方面：
三星3GAP（3nm） < 臺積電N3E（3nm） < 臺積電N3P（3nm） < Intel 20A
結(jié)語
1、如果英特爾、三星、臺積電的2nm工藝都如期發(fā)布，那么Intel 20A就是“王炸”，英特爾的工藝會在一段時間內(nèi)保持“世界第一”的位置。
2、英特爾Intel 20A雖然只是“內(nèi)部測試芯片已流片”，但相較其它兩家的2nm工藝進展還是比較快的。
3、在2nm這個技術(shù)節(jié)點，臺積電和英特爾都是首次使用新的晶體管結(jié)構(gòu)（英特爾為RibbonFET、臺積電為NanoSheet），因此理論上相較上代工藝會有較大的提升。
