7月15日消息，據國外媒體報道，三星電子6月30日在官網宣布，他們采用全環繞柵極晶體管架構的3nm制程工藝，已在當日開始初步生產芯片。
而在三星電子的3nm制程工藝開始初步生產芯片之后，臺積電3nm制程工藝的量產進展，也就備受關注，臺積電的CEO魏哲家，在周四下午的財報分析師電話會議上，也給出了回應。
臺積電公布的文件顯示，在周四下午的財報分析師電話會議上，魏哲家透露他們在按計劃推進3nm工藝在下半年以可觀的良品率量產。
另外，魏哲家在會上還表示，他們預計3nm制程工藝在明年上半年就會為他們帶來營收，在高性能計算和智能手機應用的推動下，產能在明年將平穩提升。
同此前已量產的7nm和5nm一樣，臺積電的3nm工藝也會有第二代(N3E)。魏哲家在財報分析師電話會議上也透露，他們的N3E工藝，將進一步擴展他們的3nm工藝家族，性能、功耗和良品率將進一步提升，計劃在3nm工藝量產一年后量產。
在3nm制程工藝上，臺積電和三星電子是不同的路線。三星電子的3nm制程工藝，率先采用全環繞柵極晶體管架構，臺積電則是繼續采用鰭式場效應晶體管(FinFET)架構。
