7月7日消息，據國外媒體報道，三星電子6月30日在官網宣布，他們采用全環繞柵極晶體管架構的3nm制程工藝，已在當日開始初步生產芯片，先于臺積電采用3nm工藝代工晶圓。
目前距離三星電子宣布初步生產已有一周的時間，外媒在報道中，也給出了他們3nm制程工藝的更多信息。
外媒最新的報道顯示，三星電子3nm制程工藝的首家客戶，將是國內的一家專用集成電路應用公司，不過他們并未披露公司的具體名稱。
外媒在報道中還提到，作為三星電子晶圓代工最大客戶的高通，也已經預訂了3nm工藝的產能。消息人士透露，根據兩家公司達成的協議，高通是隨時都可以要求三星采用這一工藝為他們代工芯片。
不同于7nm、5nm等工藝所采用的鰭式場效應晶體管(FinFET)架構，三星電子的3nm制程工藝，是率先采用全環繞柵極晶體管架構。三星電子在官網上表示，同5nm工藝相比，他們的第一代3nm制程工藝所代工的芯片，功耗降低45%，性能提升23%，芯片面積減少16%。
三星電子在晶圓代工領域的競爭對手臺積電，目前也在推進3nm工藝的量產事宜，他們是計劃在今年下半年量產，他們的3nm工藝，仍繼續采用鰭式場效應晶體管架構。
