6月22日消息，據國外媒體報道，5nm制程工藝量產已有兩年的臺積電和三星電子，都在全力推進3nm工藝的量產，兩家公司都計劃在今年量產。
而韓國媒體根據最新的消息報道稱，三星電子有望在下周宣布3nm制程工藝的量產事宜。
如果三星電子真如外媒報道的那樣，在下周宣布3nm工藝量產，他們在這一制程工藝上，就將先于臺積電實現量產。臺積電的3nm工藝在去年開始風險試產，正按計劃推進在今年下半年量產。
在競爭激烈的3nm制程工藝方面，三星電子和臺積電的技術路線并不相同，三星電子率先采用全環繞柵極晶體管，臺積電則是繼續采用鰭式場效應晶體管(FinFET)架構。
外媒在報道中提到，三星電子此前曾表示，采用全環繞柵極晶體管技術的3nm制程工藝，同當前的鰭式場效應晶體管架構相比，性能將提升30%，能耗降低50%，邏輯面積效率提升超過45%。
三星電子的3nm制程工藝有望先于臺積電量產，在5月初也曾出現過。當時就有外媒在報道中表示，三星在推進3nm工藝在二季度量產，如果能順利實現，就將先于臺積電量產。而二季度到下周四就將結束，如果三星電子要在二季度量產，就需要在下周四之前量產。
