6月13日消息，據國外媒體報道，在推進3nm制程工藝量產的臺積電，在更先進的2nm制程工藝的研發方面已取得重大進展，預計在明年年中就將開始風險試產。
風險試產，也就意味著臺積電2nm制程工藝距量產又更近了一步。外媒在報道中也提到，在風險試產一年之后，臺積電的這一制程工藝預計就將大規模量產。
從外媒的報道來看，臺積電正在研發之中的2nm制程工藝，在風險試產時，良品率就會相當可觀。外媒間流傳的一份未注明來源的聲明顯示，臺積電方面預計2nm制程工藝的良品率，在風險試產的2023年就將達到驚人的90%。
外媒在報道中提到，如果2nm工藝的良品率在風險試產期間就達到了90%，臺積電就能很好的改進這一工藝，并推動在2024年大規模量產。
臺積電正在推進的2nm制程工藝，在晶體管的架構方面將會有變化，不會繼續采用鰭式場效應晶體管(FinFET)，而會采用全新的多橋通道場效電晶體(MBCFET)架構，也就是三星電子從3nm制程工藝就開始采用的晶體管架構，他們在去年4月份就已宣布，3nm制程工藝將采用多橋通道場效電晶體架構設計。
