據《珠海特區報》報道，日前，IP和定制芯片企業芯動科技完成全球首個基于中芯國際FinFET N+ 1 先進工藝的芯片流片和測試，所有IP全自主國產，功能一次測試通過。這也意味著中芯國際在7nm制程工藝上取得突破。
觀察者網援引中科院半導體所專業人士介紹，成功“流片”指在實驗室得到性能達到指標的器件，而要實現真正量產，還需要在器件可靠性、退化機制等方面得到大量的數據支持和反復檢驗。
手機中國獲悉，中芯國際FinFET N+ 1 先進工藝在功率和穩定性方面與7nm制程工藝非常相似，且不需要光刻機。該工藝和中芯國際現有的14nm工藝相比，性能提升了20%，功耗降低了57%，邏輯面積縮小了63%，SoC面積減少了55%。不過其性能提升依然不夠，因此主要面向低功耗應用領域。
中芯國際此前證實遭遇美國出口限制，并表示正在評估該事件對公司經營造成的影響。相關公告顯示，美國向中芯國際出口的部分美國設備、配件及原物料會受到美國出口管制規定的進一步限制，須事前申請出口許可證后才能向中芯國際繼續供貨。在這樣的背景下，中芯國際7nm制程工藝取得突破一事就顯得意義非凡了。
