5nm工藝之后，臺(tái)積電正在全力沖刺3nm，并且準(zhǔn)備了多個(gè)版本，至少包括N3、N3E、N3B。
N3是常規(guī)標(biāo)準(zhǔn)版本，N3E原本應(yīng)該是性能增強(qiáng)版(Enhanced)，2024年量產(chǎn)，現(xiàn)在卻變成了精簡(jiǎn)版，規(guī)格上縮水，好消息是進(jìn)度提前了。
據(jù)悉，N3E工藝將使用更少的EUV光刻層，從25層縮減到21層，投產(chǎn)難度更低，良率也能更高，成本自然得以下降，但是晶體管密度會(huì)比N3版本低大約8％，相比N5仍然會(huì)高60％。
相比之下，N3的晶體管密度比N5要高70%。
N3E工藝將在本月底完成設(shè)計(jì)，而投產(chǎn)時(shí)間將從2023年第三季度提前到2023年第二季度。
N3工藝也安排在2023年，但暫時(shí)不清楚具體哪個(gè)季度。
至于N3B版本，目前只知道它是在N3的基礎(chǔ)上，針對(duì)特定用戶的改進(jìn)，但其他一無(wú)所知。
