1 月 19 日消息，根據外媒 VideoCardz 消息，SK 海力士在一份文件中透露，將在 ISSCC 2022(IEEE 國際固態電路大會)發布兩款全新的 DRAM 芯片，其中包含 12 層堆疊的 HBM3 高速內存，以及速度更塊的 GDDR6 芯片。
SK 海力士于 2021 年首次推出了 12 層 HBM3 內存，速度達到了 820GB/s，而新產品的速度將進一步提升，達到 896 GB/s。
SK 海力士這款 HBM3 內存芯片采用 TSV 硅通孔工藝制造，單顆最大容量可達 24GB。目前這類產品在服務器 CPU 中有應用，與處理器核心緊密封裝在一起，實現高速率。海力士還表示，這款芯片使用了自動校準和機器學習優化技術。目前，還不知道該產品是否會很快量產。
文件中 SK 海力士表示，將展示 16Gb(2GB) 27Gb/s GDDR6 顯存芯片，該產品將采用 T-coil 電路結構，實現更高的速度。此前的 GDDR6 顯存最高帶寬為 24Gb/s，海力士的這款新品速度超過了三星。
ISSCC 2022 大會將于 2 月 24 日舉辦，屆時 SK 海力士的高管將介紹更詳細的內容。
