12 月 31 日消息，在 12 月 28 日舉行的第三屆硬核中國芯領袖峰會暨汽車芯片技術創新與應用論壇上，比亞迪半導體功率半導體產品中心高級市場經理孫允帥表示，目前，比亞迪半導體基于高密度 Trench FS 的 IGBT 5.0 技術已實現量產。
據介紹，比亞迪半導體正在積極布局新一代 IGBT 技術，致力于進一步提高 IGBT 芯片的電流密度，提升功率半導體的可靠性，降低產品成本，提高應用系統的整體功率密度。 未來，比亞迪半導體 IGBT 芯片將在核心技術、制造工藝及結構設計等方面不斷尋求突破。
▲ 比亞迪半導體 IGBT5.0 芯片 | 圖自比亞迪半導體，下同
此外，比亞迪半導體 SiC 車用功率模塊，具有 Pin-fin 直接水冷結構，結構十分緊湊，僅一個手掌大小，輸出功率 250KW。
孫允帥表示：“后期，比亞迪半導體將往超小型雙面燒結 SiC 發展，其具有應用靈活、散熱效率高等優勢。目前有關產品在研中，預期實現產品革新的又一跨越。”
▲ 比亞迪半導體 SiC 功率模塊
官方信息顯示，比亞迪半導體以車規級半導體為核心，同步推動工業、家電、新能源、消費電子等領域的半導體業務發展，持續量產 IGBT、SiC、IPM、MCU 等產品。比亞迪半導體是全球首家、國內唯一實現 SiC 三相全橋模塊在新能源汽車電機驅動控制器中大批量裝車的功率半導體企業。
