3月21日，三星電子宣布開發出業內首款基于第三代10nm級工藝的DRAM內存芯片，將服務于高端應用場景，這距離三星量產1y nm 8Gb DDR4內存芯片僅過去16個月。
第三代10nm級工藝即1z nm(在內存制造中，用x/y/z指代際，工藝區間是10~20nm)，整合了EUV極紫外光刻技術，單芯片容量8Gb(1GB)。
三星表示，1z nm是業內目前最頂尖的工藝，生產效率較1y nm提升了20%，可以更好地滿足日益增長的市場需求。
量產時間敲定在今年下半年，成品的8GB DDR4模組也在驗證中，目標領域是下一代企業級服務器和2020年的高端PC產品。
三星還表示，將在平澤市(Pyeongtaek)提高DRAM芯片的產能，同時上述先進技術還將應用于未來的DDR5、LPDDR5、GDDR6產品上。
不過，就在昨天(3月20日)，三星電子聯席CEO金基南(Kim Ki-nam)還指出，由于智能機市場增長乏力，數據中心公司削減投資，公司的存儲芯片等零部件業務預計將面臨艱難一年。
