日前，SK海力士表示，其成功研發出全球首款以20 納米級8GB DDR4為基礎的超大容量 128GB模塊。SK海力士繼推出以8GB DDR4的64GB模塊后，研發出全球首款128GB DDR4模塊，該產品預計在2015年上半年開始正式量產。
該DDR4模塊采用了TSV技術，其容量達目前最大容量64GB的兩倍。在速度方面，明顯高于DDR3數據傳輸速度1333Mbps，達2133Mbps。同時，通過具有64個輸入/輸出端口(I/O)的模塊，每秒能夠處理17GB的數據。工作電壓則從現有DDR3的1.35V降低至1.2V，更加節能。
SK海力士DRAM研發相關負責人表示：“全球首款128GB DDR4模塊研發的意義主要在于繼續開拓超大容量服務器市場。未來，SK海力士還將繼續研發出大容量、高速、低能耗的產品，以引領高端DRAM市場的發展。”據行業權威市場調查機構Gartner最新統計結果，服務器內存DRAM市場將隨著移動設備市場的發展，預計到2018年持續保持年平均37%的增長勢頭。
此外，在行業權威市場調查機構Gartner4月3日發布的2013年全球半導體營收排名中， SK海力士首度躋身前五，以1,262,500萬美元的營收排名第四。與同期增長相比激增40.8%
