(ChinaZ.com) 12月18日消息:據(jù)gizchina報(bào)道，在5nm工藝今年一季度大規(guī)模量產(chǎn)、為蘋果等客戶代工相關(guān)的芯片之后，臺積電下一步的重點(diǎn)就將是更先進(jìn)的3nm 工藝，這一工藝的研發(fā)在按計(jì)劃推進(jìn)，廠房在11月份就已經(jīng)建成。
臺積電沒有透露3nm Plus相比于3nm有何變化，但是顯然會有更高的晶體管密度、更低的功耗、更高的運(yùn)行頻率。臺積電表示，3nm工藝相比于5nm可帶來最多70%的晶體管密度增加，或者最多15%的性能提升，或者最多30%的功耗降低。據(jù)悉，臺積電在3nm工藝上將延續(xù)FinFET（鰭式場效應(yīng)晶體管），2nm上則會首次引入全新的MBCFET(多橋通道場效應(yīng)晶體管)，也就是納米片(nanosheet)，可視為從二維到三維的跨越，能夠大大改進(jìn)電路控制，降低漏電率。
現(xiàn)在臺積電已宣布其3nm Plus工藝將在2023年推出，但并未披露具體時間。在客戶方面，報(bào)道稱蘋果將是3nm Plus工藝的首個客戶。按時間推算，2023年蘋果主要的處理器將是iPhone15搭載的A17，屆時臺積電第二代3nm的首款產(chǎn)品就將是A17。
