（ChinaZ.com）12月22日 消息:外媒分析稱，預計2021年將出現另一個半導體超級周期，半導體公司正在加大努力以獲取更大的市場份額。尤其在存儲器半導體市場中，對新技術的競爭正在加劇。
三星電子計劃在2021年下半年正式推出DDR5DRAM。DDR5DRAM作為下一代產品，其傳輸速度和容量都比當前市場主流DDR4DRAM快得多。它們可以達到每秒6400Mbps的速度傳輸數據，是DDR4DRAM的3200Mbps的兩倍。
DDR5DRAM的工作電壓為1.1V，這比DDR4芯片的1.2V降低了9%。 DDR5的最大容量為64Gb，是當前DDR4的四倍。 DDR5產品有望提高芯片制造商的盈利能力，因為其單價高于DDR4DRAM。DDR4DRAM的單價比DDR3DRAM高1.5倍，DDR5DRAM的價格漲幅應該也是差不多。
業內觀察家稱，三星電子可能會加快DDR5DRAM的發布，因為許多專家預測明年將出現另一個存儲超級周期。他們指出，SK海力士于去年10月6日首次在全球發布DDR5DRAM。
DDR5DRAM在存儲器市場中的份額有望快速增長。市場研究公司TrendForce預測，DDR5在PC DRAM市場中的份額將從2020年的不到1%增長到2021年的10%。分析師預測，他們在服務器DRAM市場中的份額將從2020年的4%增加到15%。
此外，芯片制造商也在NAND閃存市場上競爭激烈。他們競相開發領先于競爭對手的下一代制造工藝，并進行并購交易以獲取新技術。
美國美光公司在今年11月宣布，已開始全球首次批量生產176層NAND閃存。該公司表示，新的176層NAND產品在讀寫數據方面的性能提高了35%以上，與同類最佳競爭對手相比，其尺寸減少了30%。
SK海力士還于12月7日宣布，繼美光之后，已于12月初開發了176層4D NAND閃存。 SK海力士強調說，新產品發布同時其生產率提高35%以上，176層NAND將提高其價格競爭力。
三星電子澤計劃在2021年發布第七代V-NAND閃存產品。理論上，第七代V-NAND閃存最多可以具有256層。
得益于去年10月從英特爾收購NAND閃存業務，SK海力士將其在全球NAND市場的市場份額擴大至23%左右。市場研究公司Omdia表示，截至2020年第二季度，三星電子以33.8%的份額在全球NAND市場中排名第一。 鎧俠（前身為東芝存儲）以17.3%位居第二，西部數據以15%位居第三，英特爾以11.5%位居第四，而SK海力士以11.4%位居第五。
市場專家預測，NAND閃存市場將比DRAM市場增長更快。“由于智能手機5G以及服務器對SSD的需求，到2024年NAND需求將以每年30%到35%的速度增長，而DRAM年平均增長率為15%到20%。”
