通過技術和Equipment Intelligence®（設備智能）的創新，Vantex™重新定義了高深寬比刻蝕，助力芯片制造商推進3D NAND和DRAM的技術路線圖。
上海 ——近日，泛林集團 (Nasdaq: LRCX) 發布了專為其最智能化的刻蝕平臺Sense.i™所設計的最新介電質刻蝕技術Vantex™。基于泛林集團在刻蝕領域的領導地位，這一開創性的設計將為目前和下一代NAND和DRAM存儲設備提供更高的性能和更大的可延展性。
3D存儲設備通常被應用于例如智能手機、顯卡和固態存儲驅動等。芯片制造商們一直以來都在通過縱向增加設備尺寸和橫向減少關鍵尺寸(CD)持續降低先進技術產品的位成本，將3D NAND和DRAM中的刻蝕深寬比提升至更高水平。
Vantex的全新腔室設計能夠以更高的射頻(RF)功率刻蝕更高深寬比的器件，提升產能，降低成本。更高的功率和射頻脈沖技術的結合可以實現嚴苛的CD控制，從而改進器件功能。
根據3D NAND設備的技術路線圖，每一代刻蝕都需要實現更大的深度，這也推動了提升刻蝕輪廓均勻性的需求。Vantex技術控制了刻蝕的垂直角度，以滿足這些3D器件結構設計密度要求，并在整個300mm晶圓上實現高良率。
“10多年來，泛林集團一直在高深寬比刻蝕領域保持行業領先，我們所獨有的經驗使Vantex的腔室設計從一開始就能夠為未來的許多技術節點提供可延展性和創新性。” 泛林集團高級副總裁、刻蝕產品事業部總經理Vahid Vahedi表示，“Vantex重新定義了刻蝕平臺性能和生產效率的行業標桿，這一突破性的刻蝕技術對于客戶來說非常有吸引力。”
泛林集團Sense.i刻蝕平臺具有Equipment Intelligence®（設備智能）功能，可以從數百個傳感器收集數據，監測系統和工藝性能。借助Sense.i系統的高帶寬通信，Vantex刻蝕腔室在每個晶圓中采集的數據多于市場上其他任何設備——它能夠更有效地分析和利用數據，以提高晶圓上和晶圓間的性能。
泛林集團將持續向存儲器行業的領軍客戶提供Sense.i平臺上的Vantex以期獲得客戶認可和重復訂單，助力客戶在2021年實現高量產。
泛林集團Vantex™新型刻蝕腔室搭載其行業領先的Sense.i™刻蝕平臺
