深圳愛仕特科技有限公司（以下簡稱“愛仕特”）自主研發的15V驅動的1200V 12mΩ SiC MOSFET和1700V 25mΩ SiC MOSFET芯片已量產并開始批量出貨給國內客戶，填補了國內該系列產品研發及應用的空白，引領國內SiC功率器件技術躋身國際領先水平。
愛仕特的12mΩ SiC MOSFET產品，據知是目前商用的最大電流產品。門極驅動電壓由20V降至15V即可完全開啟，降低了器件的開關損耗，實現了低導通電阻和高速開關性能的結合，有助于縮小車載逆變器和各種開關電源等眾多應用的體積并進一步降低其功耗。
與以往產品相比，驅動電壓降至15V，能更好兼容傳統硅基IGBT的驅動電路，提升了器件的可靠性，并降低了驅動損耗。與此同時，國際主流廠商已開始大力推廣15V驅動的SiC MOSFET，加快對傳統硅基IGBT的替代。下表對比可以看出愛仕特產品的FOM品質因數（綜合評估產品的導通損耗和開關性能）緊跟與國際產品的一線技術水平。
FOM品質因數評估的依據：Qg用于評估給定柵極驅動下的開關特性，Rdson是用來衡量直流導通損耗的重要參數。Qg越小，所需驅動的開關損耗越小；導通電阻越低，產生的導通損耗越小。但是這兩個參數在器件設計方面是一個矛盾體。電源設計人員一般會采用FOM品質因數來評估MOS管或對之進行等級劃分。FOM品質因數的值越小，意味著MOSFET產品導通損耗和開關損耗的綜合性能越優異。
近年來，新能源汽車的高速發展，促進了更高效、更小型、更輕量的電動系統的開發，特別是發揮核心作用的主機逆變器。采用碳化硅功率器件可滿足新能源汽車更高功率、更遠續航、更小損耗和更低重量的要求，而且在800V電壓平臺下更能發揮它的性能優勢。隨著下游行業對半導體功率器件高轉換效率、低發熱特性需求的持續增加，碳化硅器件已實現從研發到規模化量產的跨越，進入產業化快速發展階段，在應用方面具備出眾的性能表征。
在這樣的環境下，愛仕特不斷實現SiC MOSFET產品研發及市場應用的突破，已經量產20多款650V-3300V的SiC MOSFET芯片和模塊產品，在新能源汽車、光伏等領域累計出貨3000K。愛仕特建有車規級模塊工廠和完整的品質管理體系，通過IATF 16949、ISO 9001質量體系認證和第三方AEC-Q101車規級認證。公司研發團隊進一步開發第3.5代工藝平臺，在現有芯片面積基礎上還可再縮小20%，為SiC MOSFET的大規模應用貢獻力量。
