臺(tái)積電的下一代先進(jìn)工藝中，3nm明年會(huì)放量生產(chǎn)，2nm工藝在2025年量產(chǎn)，再往后的1nm工藝一直沒(méi)有明確計(jì)劃，不過(guò)工廠的事差不多定下了，新竹科學(xué)園區(qū)有關(guān)負(fù)責(zé)人今日表示，臺(tái)積電未來(lái)1nm廠將落腳竹科龍?zhí)秷@區(qū)。
目前臺(tái)積電確定的只是前期的選址，后面還有一大堆流程要走，即便一切順利，如今先進(jìn)的芯片廠建設(shè)周期至少3年，再加上2nm工藝是2025年量產(chǎn)，1nm工藝量產(chǎn)至少要到2028年之后了。
至于具體的技術(shù)細(xì)節(jié)，那更是無(wú)從談起，不過(guò)臺(tái)積電在2nm之后就會(huì)使用GAA晶體管技術(shù)，1nm也不會(huì)例外。
還有就是投資金額，臺(tái)積電3nm、5nm工廠的建設(shè)資金大約是200億美元，1nm工藝的投資計(jì)劃高達(dá)320億美元，輕松超過(guò)2000億元，成本要比前面的工藝高多了。
其中一個(gè)重要原因就是下一代EUV光刻機(jī)，目前AMSL的EUV光刻機(jī)可以滿足3nm工藝的需要，2nm之后的工藝就要上高NA技術(shù)的EUV光刻機(jī)了，型號(hào)是NXE:5200，價(jià)格直線飛升，從目前的1.5億美元大幅上漲到4億美元以上。
來(lái)源：快科技
