據(jù)TheElec報(bào)道，ASML近日在“2022半導(dǎo)體EUV生態(tài)系統(tǒng)全球大會(huì)”上指出，預(yù)計(jì)今年EUV生產(chǎn)臺(tái)數(shù)將超過50臺(tái)。
2019年ASML的EUV設(shè)備生產(chǎn)臺(tái)數(shù)為22臺(tái)，如今已增加到2021年的42臺(tái)。ASML表示有信心今年將超過50臺(tái)，明年生產(chǎn)臺(tái)數(shù)將進(jìn)一步增加。
目前半導(dǎo)體行業(yè)最關(guān)心的問題之一是引進(jìn)High-NAEUV設(shè)備的時(shí)間點(diǎn)。ASML透露，High-NA EUV設(shè)備將于明年年底推出初始版本，量產(chǎn)型號(hào)將于2024年底或2025年初推出。
據(jù)etnews報(bào)道，ASML財(cái)報(bào)稱，在High-NA EUV業(yè)務(wù)中，公司收到了TWINSCAN EXE:5200的額外訂單，所有當(dāng)前的EUV客戶都已經(jīng)下單了下一代半導(dǎo)體設(shè)備“High-NA”，這其中包括三星和SK海力士。
最先進(jìn)工藝的競(jìng)爭(zhēng)預(yù)計(jì)將加劇。繼臺(tái)積電和英特爾之后，韓國半導(dǎo)體制造商也在準(zhǔn)備引進(jìn)能夠?qū)崿F(xiàn)2nm工藝的設(shè)備。如果單看技術(shù)，三星只落后于臺(tái)積電半年時(shí)間。但從市場(chǎng)統(tǒng)計(jì)來看，三星在全球芯片代工市場(chǎng)份額占比僅為臺(tái)積電三分之一。
High-NA EUV設(shè)備是將集光能力的鏡頭數(shù)值孔徑（NA）從0.33提高到0.55的設(shè)備。比現(xiàn)有的EUV設(shè)備處理更精細(xì)的半導(dǎo)體電路。業(yè)界大多數(shù)人認(rèn)為，High-NA設(shè)備對(duì)2nm工藝至關(guān)重要。
據(jù)推測(cè)，High-NA EUV光刻機(jī)的單價(jià)為5000億韓元，是現(xiàn)有EUV光刻機(jī)的2倍。業(yè)內(nèi)人士指出，如果三星電子購買10臺(tái)High-NA EUV光刻機(jī)，將需要5萬億韓元以上的費(fèi)用。為了提高韓國的國家產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力，有必要擴(kuò)大政府的支援。
【來源：集微網(wǎng)】
