12 月 29 日消息，臺積電今天將在臺南科學園區舉辦 3 納米量產暨擴廠典禮，正式宣布啟動 3 納米大規模生產。董事長劉德音以及逾 200 供應商與伙伴出席。據悉，臺積電的南科芯片 18 廠是 5 納米及 3 納米的生產基地，其中，芯片 18 廠 5 期至 9 期廠房是 3 納米生產基地。
新年伊始，臺積電將采用產能有限的 N3 節點工藝，然后在 2023 年晚些時候轉向更穩定、更高效的全面生產的 N3E，隨后在 2024 年轉向 N3P，這一年臺積電還將在新竹工廠將其 2 納米 GAA 工藝投入試生產，并在 2025 年進行大規模生產。
在此前多個季度的財報分析師電話會議上，臺積電 CEO 魏哲家曾表示，他們在按計劃推進 3nm 制程工藝以可觀的良品率在下半年量產，在高性能計算和智能手機應用的推動下，預計產量在 2023 年將平穩提升。
臺積電在官網公布的信息顯示，他們的 3nm 制程工藝，是 5nm 之后的另一個全世代制程，具備最佳的 PPA 及電晶體技術。同 5nm 制程工藝相比，3nm 制程工藝的邏輯密度將增加約 70%，在相同功耗下速度提升 10-15%，或者在相同速度下功耗降低 25-30%。
IT之家了解到，三星于 6 月開始制造 3 納米半導體，并準備在 2024 年推出更節能的 3 納米節點。該公司的芯片將被用于 Nvidia 顯卡、高通移動處理器、IBM CPU 和百度云服務器芯片。目前，三星在全球半導體市場份額方面遠遠落后于臺積電，位居第二。
來源：IT之家
