【ITBEAR科技資訊】3月16日消息，近日，吉利科技旗下的功率半導體公司浙江晶能微電子宣布，他們自主設計研發的首款車規級 IGBT 產品成功流片。該款芯片采用了第七代微溝槽柵和場截止技術，優化表面結構和 FS 結構，實現了更低的導通/開關損耗，功率密度增大約 35%。
IGBT 是現代電力電子中的主導型器件，因其優越的性能而被譽為電力電子裝置的“CPU”。該款 IGBT 芯片的綜合性能指標已達到行業領先水平，被視為未來功率芯片和模塊創新應用的關鍵組件之一。
據晶能微電子介紹，一輛典型的新能源汽車所需的芯片數量超過 1200 顆，功率半導體占比接近 1/4。因此，晶能微電子將繼續致力于研制性能優越的芯片和模塊產品，以滿足動力總成系統中的開發需求。
據ITBEAR科技資訊了解，近期也有行業開發者討論將 Si IGBT 和 SiC MOS 封裝在一起，形成混合并聯模塊的解決方案。未來，功率芯片和模塊的創新應用場景會更加豐富。
晶能微電子是吉利科技集團孵化的功率半導體公司，其聚焦于 Si IGBT&SiC MOS 的研制與創新，發揮“芯片設計 + 模塊制造 + 車規認證”的綜合能力，為新能源汽車、電動摩托車、光伏、儲能、新能源船舶等客戶提供性能優越的功率產品和服務。
