【ITBEAR科技資訊】4月16日消息，祥峰投資發(fā)布消息稱，進化半導體宣布完成近億元人民幣融資，資金將主要用于持續(xù)研發(fā)投入和團隊擴充。本輪融資由中合汽車基金和同創(chuàng)偉業(yè)領投，國發(fā)創(chuàng)投、深圳高新投、浙商創(chuàng)投、泰融資本等知名投資機構跟投，老股東祥峰投資堅定加注。
據(jù)ITBEAR科技資訊了解，進化半導體總部設在深圳市，目前擁有一個晶體設備及工藝研發(fā)生產(chǎn)基地與一個材料仿真研發(fā)中心。蘇州中心是集晶體生長、晶片加工、清洗檢測的全套氧化鎵晶片生產(chǎn)基地;北京中心則是材料仿真研發(fā)中心。
進化半導體是一家專業(yè)從事第四代半導體氧化鎵(Ga2O3)晶片研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的半導體企業(yè)。公司擁有氧化鎵的單晶爐設計、熱場設計、生長工藝、晶體加工等全系列自主知識產(chǎn)權技術的氧化鎵Ga2O3單晶襯底生產(chǎn)商之一。進化半導體創(chuàng)新性研發(fā)出的無銥工藝法，大幅度降低單晶生長設備成本，可以低成本制造大尺寸氧化鎵單晶襯底。新方法的成本僅為碳化硅的四分之一，極大提高了氧化鎵產(chǎn)業(yè)化潛力。
本輪融資由中合汽車基金和同創(chuàng)偉業(yè)領投，國發(fā)創(chuàng)投、深圳高新投、浙商創(chuàng)投、泰融資本等知名投資機構跟投，老股東祥峰投資堅定加注。進化半導體將利用融資資金主要用于持續(xù)研發(fā)投入和團隊擴充，推動其在第四代半導體氧化鎵領域的技術創(chuàng)新和市場拓展。
目前，氧化鎵作為一種新興的半導體材料，因其高能隙、高電場飽和漂移速度等特點，被廣泛應用于高頻功率電子器件、光電子器件等領域。
