來源：快科技
這幾年，臺積電在半導(dǎo)體工藝上一路策馬揚(yáng)鞭，春風(fēng)得意，能夠追趕的也只有三星了，但是后者的工藝品質(zhì)一直飽受質(zhì)疑。
IEEE ISSCC 國際固態(tài)電路大會上，三星 ( 確切地說是 Samsung Foundry ) 又首次展示了采用 3nm 工藝制造的芯片，是一顆 256Gb ( 32GB ) 容量的 SRAM 存儲芯片，這也是新工藝落地傳統(tǒng)的第一步。
在三星路線圖上，14nm、10nm、7nm、3nm 都是全新工藝節(jié)點(diǎn)，其他則是升級改善型，包括 11/8/6/5/4nm 等等。
三星將在 3nm 工藝上第一次應(yīng)用 GAAFET ( 環(huán)繞柵極場效應(yīng)晶體管 ) 技術(shù)，再次實(shí)現(xiàn)了晶體管結(jié)構(gòu)的突破，比現(xiàn)在的 FinFET 立體晶體管又是一大飛躍。
GAAFET 技術(shù)又分為兩種類型，一是常規(guī) GAAFET，使用納米線 ( nanowire ) 作為晶體管的鰭 ( fin ) ，二是 MBCFET ( 多橋通道場效應(yīng)晶體管 ) ，使用的鰭更厚更寬一些，稱之為納米片 ( nanosheet ) 。
三星的第一顆 3nm SRAM 芯片用的就是 MBCFET，容量 256Gb，面積 56 平方毫米，最令三星驕傲的就是超低功耗，寫入電流只需要區(qū)區(qū) 0.23V，這要感謝 MBCFET 的多種省電技術(shù)。
按照三星的說法，3GAE 工藝相比于其 7LPP，可將晶體管密度增加最多 80％，性能提升最多 30％，或者功耗降低最多 50％。
或許，這可以讓三星更好地控制芯片功耗、發(fā)熱，避免再出現(xiàn)所謂的 " 翻車 "。
三星 3nm 預(yù)計(jì)明年投入量產(chǎn)，但尚未公布任何客戶。
臺積電方面，3nm 繼續(xù)使用 FinFET 技術(shù)，號稱相比于 5nm 晶體管密度增加 70％，性能可提升 11％，或者功耗可降低 27％，預(yù)計(jì)今年晚些時(shí)候投入試產(chǎn)，明年量產(chǎn)，客戶包括除了蘋果、AMD、NVIDIA、聯(lián)發(fā)科、賽靈思、博通、高通等，甚至據(jù)說 Intel 也會用。
