來源：IT之家
韓國存儲器半導體公司三星和 SK 海力士正面臨著來自競爭對手的嚴峻挑戰，尤其是來自美國的鎂光科技。
世界第五大 NAND 閃存制造商鎂光 ( Micron ) 于 2020 年 11 月開始向客戶提供 176 層 NAND 閃存。三星電子 ( Samsung Electronics ) 和 SK 海力士 ( SK Hynix ) 甚至還不能批量生產這種新產品。此外，鎂光在一月份宣布，它已經開始批量生產第四代 10nm DRAM。這也是世界上第一家能夠批量生產這種 DRAM 的公司。
盡管截至 2020 年第四季度，三星電子和 SK 海力士共同占據了 DRAM 市場的 71% 市場份額 和 NAND 閃存市場的 45% 市場份額，但他們已經連續兩次在產品技術上輸給鎂光，讓后者成為新型內存技術的世界第一，這一事實反映出三星和 SK 海力士正逐漸失去其技術領先地位，因為直到一兩年前，三星電子在技術上還要領先鎂光兩年左右。
事實上，當三星在 2018 年 7 月量產 96 層堆疊 V-NAND Flash，而且 SK 海力士在 2019 年 6 月份實現首次量產 128 層堆疊的 4D NAND Flash ，鎂光則是到 2020 年的第 2 季才開始量產旗下的 128 層堆疊 NAND Flash。甚至，三星還保持了從第 1 代到第 3 代的 10 nm 級 DRAM 的全球首發紀錄。不過，在當前鎂光陸續取得兩項產品領先之后，相關的韓國市場人士開始擔憂，其韓國在內存產業的市場領先優勢還能夠維持多久。
IT 之家了解到，技術領先縮小的原因，在于內存制程技術幾乎已經達到了極限，使得領先者要進步會比后來追趕者要困難許多。三星方面至今已經投資了數億美元的研發經費，并且花費長時間在新技術的開發工作上。但是，追趕者卻可以參考三星的技術發展路線，進一步減少了在研發上的成本投資與時間。對此，韓國市場人士指出，雖然現階段韓國企業在設備和投資方面有著競爭力。但是，這方面的競爭力正被競爭對手逐漸追趕。其中，2019 年鎂光的營業利潤率為 19.5%，雖低于三星的 21.6%，但卻領先 SK 海力士的 10.1%。即使三星與 SK 海力士努力的提高，使得三星 2020 年的營業利益率提升至 25.8%，但 SK 海力士的 15.7% 營業利潤率仍與鎂光的 15.2% 表現相差無幾。
IT 之家獲悉，除了從營業利潤率來衡量各企業的競爭力之外，更令韓國業界擔心的是，目前歐美在全力發展半導體制造業的情況下，對重點發展廠商的補助計劃。尤其鎂光所生產的內存一直被美國視為重要的戰略科技產品，因此美國政府將會對鎂光進行更加優惠的補助措施。而根據韓國工業聯合會（Federation of Korean Industries）在 2020 年 6 月所發布的報告顯示，中國中芯國際在 2014 年至 2018 年期間獲得了中國政府補助的金額，占其總銷售金額的 6.6%。而美國政府對鎂光的補助也占其總銷售金額的 3.3%。但反觀韓國的三星和 SK 海力士方面，從韓國政府獲得的補助則分別僅為 0.8% 和 0.5%。這使得競爭對手更加有實力在技術研發方面進行投資，也使得韓國企業面臨著更大的競爭壓力。
