【ITBEAR科技資訊】4月20日消息，SK海力士近日宣布，全球率先研發(fā)出12層堆疊的HBM3內(nèi)存，單顆容量可達(dá)24GB。這項技術(shù)突破將HBM3內(nèi)存的容量和帶寬提升到了一個新的水平，更加適用于高性能計算CPU和GPU等領(lǐng)域。
據(jù)ITBEAR科技資訊了解，SK海力士在新品上使用了名為“高級批量回流模制底部填充”(MR-MUF)的技術(shù)，通過將多顆芯片放置在下層基板上，并使用模塑料填充芯片之間或芯片與基板之間的空隙，一次性粘合多顆芯片，從而實現(xiàn)了12層堆疊。同時，SK海力士還采用了經(jīng)典的TSV硅穿孔技術(shù)，將單顆芯片的厚度減少了40%，在保持整體厚度不變的情況下，實現(xiàn)了50%的容量增加。
SK海力士已經(jīng)向客戶提供24GB HBM3的樣品，但量產(chǎn)和供貨時間未公布。然而，這一技術(shù)突破對于高性能計算CPU和GPU等領(lǐng)域來說，無疑將帶來更高的性能和更大的容量。比如，NVIDIA H100、AMD Instinct MI250X加速卡分別用了六顆16GB HBM3、八顆16GB HBM2e，而如果換成新的單顆24GB，一張卡上就能分別有144GB、192GB之多。
