【ITBEAR科技資訊】5月6日消息，據外媒報道，高通公司將在未來幾年推出一系列重大改進，以進一步提高驍龍芯片的性能和功效。
據悉，今年下半年發布的驍龍 8Gen3 將繼續使用 4nm 工藝，ARM 的核心，支持 LPDDR5X 內存。但從驍龍 8Gen4 開始，高通芯片將迎來大改。高通公司收購 Nuvia 公司之后一直在自研 Oryon 內核，驍龍 8Gen4 可能是首款用到 Oryon 內核的高通芯片。同時，驍龍 8Gen4 還將支持 LPDDR6 內存標準，該內存來自三星。
據ITBEAR科技資訊了解，高通將從明年開始改用臺積電的 3nm 工藝，其中 N3E 工藝將成為新一代安卓旗艦的主流制程。臺積電的 3nm 工藝有 N3 和 N3E 兩種，但臺積電一直建議手機廠商使用 N3E 工藝。與 5nm 相比，N3E 工藝的性能將提高 10%-15%，功耗下降 25%-30%。這意味著未來的驍龍芯片將具有更快的速度和更長的電池續航能力。
隨著全球 5G 網絡的普及和 5G 手機的廣泛應用，高通作為移動芯片領域的龍頭企業，將繼續加強技術研發，提高產品競爭力，以滿足消費者對高性能、低功耗移動設備的需求。
