【ITBEAR科技資訊】5月19日消息，據(jù)Revegnus(@Tech_Reve)在推特上的分享，高通計(jì)劃在未來推出驍龍8 Gen 4處理器，并采用臺(tái)積電的3nm工藝(N3E)。與此同時(shí)，針對(duì)三星的Galaxy設(shè)備，高通也將為其生產(chǎn)定制的驍龍8 Gen 4處理器，該處理器則采用三星自家的3nm GAP工藝。
據(jù)ITBEAR科技資訊了解，Revegnus以往的爆料多次準(zhǔn)確，因此具有一定的可信度。然而，關(guān)于三星發(fā)布Galaxy S25的相關(guān)信息，還需等待兩年時(shí)間，直到2024年年底才能更加清晰明了。
盡管三星和臺(tái)積電都將使用3nm工藝來代工驍龍芯片，但在性能和功耗方面肯定會(huì)存在差異。因此，關(guān)鍵在于三星如何把控這些工藝，并縮小與臺(tái)積電的差距。
高通選擇不同的代工合作伙伴，可能是為了在不同工藝方面尋求更好的表現(xiàn)。臺(tái)積電的3nm工藝(N3E)在市場(chǎng)上備受矚目，被認(rèn)為具備出色的性能和能效。而三星的3nm GAP工藝則是該公司自家的技術(shù)，其性能和功耗表現(xiàn)將成為關(guān)注焦點(diǎn)。
目前，我們還無法確切知道這兩種工藝在驍龍8 Gen 4處理器中的實(shí)際表現(xiàn)如何。然而，隨著時(shí)間的推移，我們可以期待這兩款處理器的發(fā)布，并對(duì)它們的性能和功耗進(jìn)行全面評(píng)估。無論最終結(jié)果如何，消費(fèi)者都有望從中獲得更強(qiáng)大且能效更高的移動(dòng)設(shè)備體驗(yàn)。
