【ITBEAR科技資訊】05月20日消息，三星電子再次展示了在DRAM領域的領導地位，宣布正式啟動了12納米工藝的16Gb DDR5 DRAM的大規模生產。這款新一代內存芯片采用差異化的工藝技術，具備出色的性能和電源效率。據三星電子DRAM產品與技術執行副總裁Jooyoung Lee介紹，通過使用一種新的高K材料，12納米級DDR5 DRAM的開發取得了重大突破。新工藝使得晶體管柵極材料具備更高的電容，提高了狀態準確區分的能力。此外，三星還通過降低工作電壓和減少噪音的努力，為內存芯片提供了優化的解決方案。
據ITBEAR科技資訊了解，這次12納米級DDR5 DRAM的首次使用將主要應用于數據中心、人工智能和下一代計算等領域，而PC用戶則需要等待更長的時間。然而，這次生產的16Gb DDR5 DRAM具有諸多優勢，包括降低了約23%的功耗和提高了20%的晶圓生產力。此外，新一代內存芯片的最大引腳速度可達7.2Gbps，進一步提升了性能。
此次12納米工藝的推出標志著三星電子在內存領域的技術突破，不過值得注意的是，雖然這些內存IC在功耗、速度和晶圓經濟等方面有所改進，但其容量仍然是16Gb，并沒有在密度路線圖上取得更大的突破。然而，隨著12納米級DDR5 DRAM的大規模生產，三星電子進一步鞏固了在DRAM市場的領先地位，為數據中心和人工智能等領域的應用提供了更高性能和更低功耗的解決方案。
