在國家網絡安全審查辦公室官網發布美光科技在華銷售的產品未通過網絡安全審查的消息發出后，國內DRAM領域迎來一則重磅消息。
相關業內人士透露，于2020年成立的成都高真科技有限公司（以下簡稱“高真科技”）已完成19nm級8Gb LPDDR4產品的開發，預計在不久的將來可實現量產，這意味著中國DRAM芯片廠商在存儲領域的核心技術攻關再獲突破，也表明國內存儲芯片“國產替代”進程正在加速進行中。
DRAM存儲器是PC、手機、服務器等下游需求端產品的重要組成部分,同時也是數字基礎設施不可或缺的核心產品。目前，全球DRAM主流市場主要被三星電子、SK海力士和美光科技壟斷，并形成了較高的技術、品牌及市場壁壘。
在此背景下，高真科技成功研發出的19nm級8Gb LPDDR4產品在一定程度上填補了國內DRAM廠商在核心技術研發進程中的空白，同時也有助于提升國內DRAM廠商的競爭優勢，為突破海外巨頭對中國DRAM市場的壟斷局面打下基礎。
據了解，高真科技19nm級8Gb LPDDR4產品主要面向智能手機、可穿戴設備等移動數碼產品。在下游消費市場逐步復蘇的驅動下，該產品在實現量產后或將進一步賦能中國移動智能終端產品的發展，同時有望助力中國汽車產業智能化的發展。
值得一提的是，高真科技19nm級8Gb LPDDR4產品開發周期僅為10個月，遠低于行業平均周期2-3年，成功實現了中國DRAM存儲芯片制造領域的記錄突破，與長鑫存儲成為國內唯二的兩家有能力實現主流DRAM產品一體化制造的廠商。
公開資料顯示，高真科技是由真芯（北京）半導體有限責任公司與成都市政府合作設立的專注于DRAM存儲芯片領域研發、生產和銷售一體化的存儲器制造商，公司實控人崔珍奭博士是目前韓國僅有的兩名可以具備全半導體領域從研發到量產經驗的半導體頂尖技術專家之一。崔珍奭博士曾在DRAM芯片領域全球三大巨頭中的其中兩家長期擔任核心高管，其中，曾于三星電子任職常務董事、于SK海力士任職CTO及COO。
據悉，崔珍奭博士在SK海力士任職期間順利幫助公司完成了在技術方面的快速升級，在不到2年的時間內將SK海力士公司的研發能力提升到與三星電子具備同等水平，并順利主導了SK海力士中國無錫工廠的建立與成功運營。
憑借在全球半導體產業界享有的極高聲譽和號召力，崔珍奭博士先后為高真科技引入200名擁有豐富行業經驗的技術人才，其中，約50名核心人才在全球TOP級存儲芯片制造企業任職時間超過25年并已在其中擁有較高的領導地位，同時熟練掌握了關于DRAM先進制程開發及良率提升的豐富經驗與項目實現的全流程經驗，對產品、技術、IP等有深度思考和規劃。
高真科技也是國內稀缺的具有獨立知識產權的半導體公司，其持有覆蓋DRAM研發生產各環節的專利超過1000件；公司還擁有僅次于三星、海力士和美光的全球第四大1x制程DRAM技術平臺，具備獨立自主可控能力，有望幫助國內半導體產業破解核心技術“卡脖子”難題。
相關人士表示，中國半導體行業目前正處于“國產替代”關鍵時期，在著力破解核心技術“卡脖子”問題、產業鏈供應鏈安全自主可控成為共識的背景下，中國需要一批類似高真科技、在半導體細分領域中技術領先且具備核心競爭優勢的企業共同為推動中國存儲芯片自主可控研發進程、幫助中國半導體產業攻破技術難題貢獻力量。
