【ITBEAR科技資訊】5月26日消息，據韓國媒體The Elec報道，三星公司近日成立了一支專業團隊，致力于開發一種名為4F2 DRAM存儲單元結構的創新技術。這項技術可以在不改變工藝節點的前提下，將芯片面積最高減少30%。
過去的十年里，DRAM行業曾嘗試商業化4F Square單元結構技術，但未能取得成功。然而，三星此次組建的專業團隊力求克服之前的難題，推動4F2結構的研發。
據ITBEAR科技資訊了解，4F2 DRAM存儲單元結構的設計基于晶體管形成的源極(S)、柵極(G)和漏極(D)整套系統。在漏極(D)的上方安裝了一個用于存儲電荷的電容器，并且晶體管與水平排列的WL線和垂直排列的BL線相連。其中，WL線與柵極(G)相連，負責控制晶體管的開關;而BL線與源極(S)相連，負責讀取和寫入數據。
這項4F2技術的最大優勢在于其高度集成化和節省芯片空間的能力。相較于現有的6F2級別，該技術可在不改變工藝節點的情況下，將芯片面積最高減少30%。這對于提升芯片性能、實現更高容量的存儲器以及滿足不斷增長的市場需求具有重要意義。
三星公司的專業團隊將繼續努力，加快4F2 DRAM存儲單元結構的研發進程。一旦成功商業化，這項技術有望為DRAM行業帶來革命性的突破，推動存儲器技術的發展邁上新的臺階。我們將持續關注這一領域的最新動態。
