【ITBEAR科技資訊】6月30日消息，據(jù)韓媒The Elec報(bào)道，三星存儲(chǔ)業(yè)務(wù)高管最近參加了電子工程師協(xié)會(huì)2023年夏季會(huì)議，并向與會(huì)者透露了關(guān)于三星V-NAND技術(shù)的最新進(jìn)展。據(jù)三星高管表示，他們計(jì)劃在2030年前將V-NAND技術(shù)疊加到超過1000層。
自2013年三星首次推出24層V-NAND技術(shù)以來，經(jīng)過十年的發(fā)展，三星已經(jīng)成功將該技術(shù)拓展到200多層。這使得三星成為了韓國在創(chuàng)造技術(shù)和生態(tài)系統(tǒng)方面的一項(xiàng)重要成就，并延續(xù)了NAND技術(shù)的歷史。
三星高管表示，V-NAND技術(shù)的競(jìng)爭(zhēng)將持續(xù)到超過1000層，并指出了在實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)時(shí)面臨的挑戰(zhàn)。他們將面臨穩(wěn)定性問題，就像建造摩天大樓一樣需要考慮坍塌、彎曲和斷裂等因素。此外，他們還需要解決連接孔加工工藝、電池干擾最小化、層高縮短以及每層存儲(chǔ)容量擴(kuò)大等問題。
據(jù)ITBEAR科技資訊了解，三星存儲(chǔ)業(yè)務(wù)高管在會(huì)議上強(qiáng)調(diào)了V-NAND技術(shù)的重要性和潛力。他們表示，V-NAND技術(shù)不僅延續(xù)了NAND的發(fā)展歷程，也成為了韓國國家創(chuàng)造技術(shù)和生態(tài)系統(tǒng)的成功典范之一。
三星存儲(chǔ)業(yè)務(wù)一直致力于推動(dòng)NAND技術(shù)的發(fā)展，并通過不斷創(chuàng)新和突破將V-NAND技術(shù)推向新的高度。隨著V-NAND技術(shù)的進(jìn)一步演進(jìn)，未來我們可以期待存儲(chǔ)容量的進(jìn)一步提升和性能的提高，這將對(duì)各行業(yè)的發(fā)展和創(chuàng)新產(chǎn)生積極的影響。
