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前言

傳音旗下Infinix發(fā)布了其Note系列的新一代手機 Note 11 和 Note 11 Pro,兩者均搭載聯(lián)發(fā)科Helio G96 4G處理器,支持120Hz刷新率以及180Hz的觸摸采樣率。另外兩款手機都配備了5000mAh大容量電池,以及支持33W有線快充,在續(xù)航方面的表現(xiàn)還是不錯的。

目前充電頭網(wǎng)已經(jīng)拿到了該系列手機的標(biāo)準(zhǔn)版——Infinix Note 11,下面就拆解給大家看看。

Infinix Note 11手機開箱

傳音Infinix Note 11手機內(nèi)部是怎么樣的?拆解給大家看看

 

包裝盒是常見的天地蓋設(shè)計,頂蓋為綠色配色,印有Infinix品牌、NOTE11以及6GB+128GB、AMOLED、NFC等配置信息。

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標(biāo)準(zhǔn)版的Infinix Note 11有石墨黑、天空白和冰川綠三種顏色可供選擇,此次拆解的便是石墨黑款式。

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左側(cè)設(shè)有SIM卡插槽,插槽上紅色膠圈用于密封。

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卡托特寫,最多可以裝三張卡。

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手機背面一覽,兩端分別是Infinix品牌和后置攝像頭,中間貼有信息貼紙。

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矩陣三攝特寫。

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使用附帶的充電套裝給手機充電,測得充電功率為9.7V 2.24A 21.7W。

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手機快充動畫特寫。

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除手機外,包裝內(nèi)還有手機殼、充電器套裝、卡針、耳機以及說明書等。

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充電器是經(jīng)典直板造型設(shè)計,采用PC材質(zhì)白色外殼,正面有Infinix品牌,整體風(fēng)格簡約。

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使用ChargerLAB POWER-Z KT002測得充電器僅支持QC2.0快充協(xié)議。

Infinix Note 11手機拆解

看完了手機的簡單展示和測試,下面就對手機進行拆解,看看內(nèi)部設(shè)計和做工如何。

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從邊緣拆下后蓋,后蓋與蓋板邊框通過雙面膠固定,后蓋對應(yīng)電池位置有緩沖泡棉。

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拆下蓋板以及小PCB板,發(fā)現(xiàn)同軸信號線連接到尾插小板上,揚聲器通過排線與尾插小板連接,小板上焊接USB-C母座和3.5mm耳機孔。接口均外套橡膠套保護及緩沖。

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取下電池,可以看到手機采用了一體式的鋁合金中框,強度高,并且具有一定的散熱效果。

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手機內(nèi)部電池特寫,電池型號為BL-49KX,鋰聚合物電池,額定電壓為3.87V,額定容量4900mAh,標(biāo)稱容量為5000mAh,充電限制電壓4.45V。

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撕開電池保護板的保護貼紙,電池極耳點焊焊接在保護板上,保護板右側(cè)是電池排線焊點。

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保護板上使用兩顆創(chuàng)芯微的電池保護芯片,其中一顆絲印4BL,實際型號為CM1004-BLD,是一顆外接檢流電阻的單節(jié)電池保護芯片。

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創(chuàng)芯微CM1004BLD具有高精度電壓檢測功能,過充電保護電壓為4.57V,精度為20mV。過放電保護電壓為2.08V,精度為50mV。內(nèi)置高精度取樣電阻檢流電路,可消除傳統(tǒng)保護芯片使用電池保護MOS內(nèi)阻檢測的誤差。

下方一顆保護芯片絲印4BK,實際型號為CM1004-BKD。

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創(chuàng)芯微CM1004BKD同樣具有高精度電壓檢測功能,過充電保護電壓為4.53V,精度為20mV。過放電保護電壓為2.35V,精度為50mV。內(nèi)置高精度取樣電阻檢流電路,可消除傳統(tǒng)保護芯片使用電池保護MOS內(nèi)阻檢測的誤差。

兩顆保護芯片均采用DFN1.9*1.6-6L封裝,外圍器件數(shù)量少,有效節(jié)省空間占用。保護芯片具備獨立的放電過流和負載短路保護,同時支持充電過流保護,通過高精度電壓檢測電路,檢測取樣電阻上的壓降,計算出電池的實際電流。可根據(jù)電池的放電電流,計算適合的取樣電阻,為電池提供高精度的過流保護功能。

保護芯片采用獨立的電阻檢測電流,能夠避免傳統(tǒng)保護電路中檢測MOS管壓降帶來的誤差,在不同溫度下提供一致的過流檢測及保護功能,避免高溫下MOS管內(nèi)阻變大造成誤保護。

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電池保護管來自松下,下面是R003電流取樣電阻,3mΩ,用于檢測電池充放電電流。

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手機攝像頭模組右側(cè)是NFC線圈。

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手機鏡頭玻璃也是通過雙面膠固定在蓋板上。鏡頭玻璃主攝開孔,下方兩個攝像頭由玻璃保護。50M像素表示手機主攝為5000萬像素。

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NFC天線粘貼在石墨導(dǎo)熱貼紙上,石墨導(dǎo)熱貼紙幫助手機主板上的芯片散熱。

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主板背面芯片焊接屏蔽罩。

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下面拆下攝像頭,取下主板。

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主板屏蔽罩與中框之間涂有粉色導(dǎo)熱凝膠。

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四顆攝像頭特寫,最左側(cè)是5000萬像素主攝像頭,支持光學(xué)防抖,右側(cè)是1600萬像素前置攝像頭。

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主板背面一覽,對應(yīng)主攝像頭的位置鏤空,右側(cè)缺口容納揚聲器。

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主板正面一覽,雙SIM卡加TF卡的卡槽占據(jù)了相當(dāng)大一部分面積。

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距離傳感器和前置攝像頭補光燈特寫。

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主板正面的屏蔽罩與芯片之間涂有導(dǎo)熱凝膠。

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擦干凈導(dǎo)熱凝膠,下面是聯(lián)發(fā)科 MT6769V 處理器,Helio G88。

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手機的eMCP存儲器來自三星,型號KM3V6001CA,內(nèi)置128GB EMMC存儲和6GB LPDDR4X運行內(nèi)存,采用FBGA254封裝。

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PMIC型號為MT6358W,負責(zé)電源管理。

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MT6631N負責(zé)手機的WiFi,藍牙,F(xiàn)M和GPS定位功能。

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全部拆解完畢,來張全家福。

充電頭網(wǎng)拆解總結(jié)

傳音作為國外的出貨巨頭,手機針對國外應(yīng)用環(huán)境深度優(yōu)化,獲得用戶的廣泛喜愛。Infinix Note 11在配置上也是可圈可點,采用業(yè)界主流的6.7寸AMOLED水滴屏,內(nèi)置5000萬像素攝像頭以及5000mAh電池支持33W快充,符合手機的定位以及售價,用戶也有不錯的使用體驗。

充電頭網(wǎng)通過拆解了解到,手機內(nèi)部使用MTK聯(lián)發(fā)科套片方案,內(nèi)置三星eMCP芯片,內(nèi)置128GB EMMC存儲和6GB LPDDR4X內(nèi)存。

值得一提的是,在電池保護板部分,充電頭網(wǎng)首次見到此類國產(chǎn)的電池保護芯片應(yīng)用于高端手機。Infinix Note 11使用了兩顆創(chuàng)芯微電池保護芯片,分別為CM1004-BLD和CM1004-BKD。CM1004系列鋰電保護芯片,是創(chuàng)芯微針對高端手機市場推出的可外接檢流電阻,內(nèi)置高精度電壓檢測電路和延遲電路的高端產(chǎn)品系列。

相較于業(yè)內(nèi)主流同類鋰電保護產(chǎn)品過充精度提高40%,符合高端手機市場對鋰電保護芯片的更高要求,為快速充電狀態(tài)下的電池提供過流、過充和過放的保護。創(chuàng)芯微再一次打破日系壟斷市場,為芯片國產(chǎn)化助力。

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