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進入下半年,全國5G基站的建設進一步加速。工信部部長苗圩曾在全國兩會期間表示,現在每周大概增加1萬多個5G基站,預計到年底中國的5G基站將超過70萬站。作為引領經濟復蘇的5G新基建,這一龐大的建設工程將為5G的網絡覆蓋和能力提升提供極大助力。

 

5G基站供應鏈國產化全面開啟,宏旺半導體加速5G存儲產品應用

圖片來源:電子發燒友

5G的增強移動帶寬、高可靠低時延、海量物聯三大運用場景將催生物聯網、車聯網、AR/VR、超高清視頻等領域的發展。海量數據的增加將對計算機計算能力帶來挑戰,對存儲提出更大的需求。

5G基站供應鏈國產化全面開啟,宏旺半導體加速5G存儲產品應用

 

作為致力于國產化替代的民族企業,宏旺半導體ICMAX的存儲芯片產品不僅廣泛運用在企業、家庭和個人的光貓、路由器等網通設備,還加速進入5G核心網、骨干網等基站建設內部,致力于為5G建設提供完全國產化的存儲器產品。

 

隨著3D NAND閃存芯片生產工藝的成熟,以及產能的不斷提高,閃存芯片的成本也在不斷下降。據IDC數據顯示,2019年全球內置存儲市場同比下降3.0%,但中國全閃存陣列將繼續保持高增長。經IDC預測,2020年中國全閃存存儲市場增長速率將達到40%。這也顯示了閃存芯片在國內市場的巨大潛力。

 

在這一背景下,宏旺半導體推出了迎合當前市場需求的eMMC、eMCP、SLC NAND FLASH等閃存芯片,經過全方位的測試與驗證,在容量及性能方面已得到行業內的認可。

 

eMMC

 

eMMC采用統一的MMC標準接口,將NAND Flash及其控制芯片封裝在一顆BGA芯片內,極大地滿足了用戶高性能、高可靠性的存儲需求。宏旺半導體推出的eMMC具有高效、高速、高兼容、高帶寬、持續穩定等特性。

 

5G基站供應鏈國產化全面開啟,宏旺半導體加速5G存儲產品應用

 

推出的11.5×13.0×1.0mm的尺寸規格,能適用于不同規格的產品;讀寫速度快,eMMC5.1最大讀取速度是136MB/s 、寫入速度是80MB/s;容量范圍廣泛,最高可達128GB;能滿足各種嚴苛環境下的存儲需求,消費級工作溫度為 -25°C~70°C ,工業級的為-40°C~85°C。

 

eMCP

 

5G基站供應鏈國產化全面開啟,宏旺半導體加速5G存儲產品應用

 

 

采用原裝NAND Flash晶片及先進的BGA封裝工藝,把eMMC和LPDDR進行精密地整合封裝,從而實現了小體積內的一體化,大數據后的高效化、智能化。具有獨創的ECC、CRC、斷電保護、固件備份、均衡磨損等特性,可有效幫助客戶提升使用效率,降低使用成本,提升存儲體驗,提高產品的持續性與穩定性。同時,與MTK、展訊、高通等各大主流平臺高度兼容,不用擔心產品適配性問題。

 

SLC NAND FLASH

 

5G基站供應鏈國產化全面開啟,宏旺半導體加速5G存儲產品應用

 

 

SLC NAND FLASH是一種高性能、高性價比的存儲解決方案,彌補了SPI NOR FLASH容量低、價格高、速度低的缺陷,可提供更高的可靠性、更健壯的糾錯性能、更長期的產品生命周期。為確保產品的穩定性,宏旺半導體的Parallel SLC NAND采用工業級SLC,經過了嚴格的封裝、測試和認證,以滿足高階應用市場對高速度、高質量、高可靠性的需求。

 

由于疫情的影響,智能手機進入存量博弈時代,但軟件運用不斷豐富推升消費者對手機內存的需求,大內存成為各大終端廠商新型智能手機的賣點。根據DRAMExchange數據,2019年全球智能手機平均DRAM容量約為4.4GB,2020年有望提升至5GB,同比增長13.6%。

 

5G基站供應鏈國產化全面開啟,宏旺半導體加速5G存儲產品應用

圖片來源:ZQtechnology

 

5G移動通訊技術落地運用將掀起新一輪換機熱潮,智能手機有望重回正增長,DRAM更是需求進一步擴大。根據賽迪顧問數據,2019年至2021年我國mobile DRAM市場規模復合增長率將達到27.99%。

 

在這一片藍海市場中,宏旺半導體推出的DDR、LPDDR廣運用于手機、平板機頂盒、智慧音箱、安防攝像機、可穿戴設備中,并一直保持著穩定的增長。兩個產品的區別主要體現在通道寬度上,LPDDR 沒有固定的總線寬度,目前最常見的為32位總線,總線位數更低,同時采用更低的電壓,能夠大大降低LPDDR的待機功耗。

 

LPDDR

 

5G基站供應鏈國產化全面開啟,宏旺半導體加速5G存儲產品應用

 

 

LPDDR全稱是Low Power Double Data Rate SDRAM,是DDR的一種,以低功耗著稱。宏旺半導體目前已推出 LPDDR3/4/4×,并且已量產的LPDDR4X容量最高達64Gb,封裝尺寸為VFBGA 200Ball 10.0×14.5mm 等,工作溫度-25°C~85°C ,工作電壓1.35V/1.5V,工作頻率1866Mhz等,具備高性能的多任務處理功能,能迅速流暢地應對龐大、復雜的工作環境。

 

DDR

 

5G基站供應鏈國產化全面開啟,宏旺半導體加速5G存儲產品應用

 

 

DDR作為應用最廣泛的動態隨機存取存儲器,被應用于路由器、光貓等設備中,DDR允許在時鐘脈沖的上升沿和下降沿讀出數據,因而其速度是標準SDRAM 的兩倍。以宏旺半導體推出的高品質DDR4為例,容量為256Mb*16/512Mb*16/1Gb*16,封裝尺寸為BGA 96Ball 8*14mm/7.5*13.5mm/9*14mm,工作溫度0°C~85°C,并具有2666 Mbps 的工作頻率,能夠以出色的速度傳輸數據,可以快速、輕松地處理大量工作負載。

 

此外,宏旺半導體的存儲產品還包括MCP/D FLASH/SSD/內存條/TF卡等,每一款產品均經過嚴苛的高低溫老化磨損、擦寫壽命、全套可靠性等品質測試。憑借高兼容性、高集成、大容量等特點,目前已在全球范圍為創維、中興、TCL等多家客戶服務。

 

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在國外技術牽制不斷升級的當下,填補技術空白,構建產業鏈條,降低海外依賴的行動刻不容緩。未來,宏旺半導體將全面服務于方興未艾的5G、IoT等,致力于為更多智慧家庭、智能辦公、物聯網等不同的場景和行業提供高性能、高穩定性的存儲產品和解決方案。

 

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