關(guān)于如何挑選內(nèi)存，玩家對(duì)容量、頻率、電壓、顆粒來(lái)源等等參數(shù)早已了然于心。不過(guò)對(duì)于內(nèi)存的時(shí)序，它究竟有什么用處，對(duì)性能有何影響，相信不少玩家都答不上來(lái)。最近影馳對(duì)內(nèi)存時(shí)序進(jìn)行了一個(gè)簡(jiǎn)單的科普，快來(lái)了解一下吧。
內(nèi)存時(shí)序一般由中間用破折號(hào)隔開(kāi)的4個(gè)數(shù)字組成，這些數(shù)字都表示延遲，也就是內(nèi)存的反應(yīng)時(shí)間。當(dāng)內(nèi)存接收到CPU發(fā)來(lái)的指令后，通常需要幾個(gè)時(shí)鐘周期來(lái)處理它，比如訪問(wèn)某一塊數(shù)據(jù)，這就對(duì)應(yīng)時(shí)序參數(shù)。這個(gè)處理時(shí)間越短，內(nèi)存性能越好。
內(nèi)存時(shí)序4個(gè)數(shù)字對(duì)應(yīng)的參數(shù)分別為CL、tRCD、tRP、tRAS，單位都是時(shí)間周期。其中CL是一個(gè)準(zhǔn)確的值，任何改動(dòng)都會(huì)影響目標(biāo)數(shù)據(jù)的位置，所以它在時(shí)序當(dāng)中是最關(guān)鍵的一個(gè)參數(shù)，對(duì)內(nèi)存性能的發(fā)揮著舉足輕重的作用。
CL（CAS Latency）：列地址訪問(wèn)的延遲時(shí)間，是時(shí)序中最重要的參數(shù)
tRCD（RAS to CAS Delay）：內(nèi)存行地址傳輸?shù)搅械刂返难舆t時(shí)間
tRP（RAS Precharge Time）：內(nèi)存行地址選通脈沖預(yù)充電時(shí)間
tRAS（RAS Active Time）：行地址激活的時(shí)間
所以在保障穩(wěn)定性的前提下，內(nèi)存時(shí)序越低越好，而高頻率和低時(shí)序是個(gè)矛盾體，一般頻率上去了，時(shí)序就得有所犧牲，要想足夠低的時(shí)序，頻率又很難拔高。
最后還放了一個(gè)測(cè)試成績(jī)圖，在內(nèi)存頻率不變的情況下，可以看到，內(nèi)存的性能隨著時(shí)序的變小而不斷變強(qiáng)。
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